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Tessent mbist scan bypass mem
在这种运算模式中，相较于模拟存算使用模拟值进行累加运算，数字存算电路中的加法树电路消耗巨大的面积，以图中所示电路为例，权重4bit、输入1bit，加法树的第一级就需要采用3个全加器和1个半加器才能完成运算，若电路为64并行度，则需要64个这样的电路，传统意义上1个全加器需要28个晶体管，1个半加器需要20个晶体管，这在电路面积层面的消耗是巨大的，而后续层电路中的加法器个数会在此基础上增加；过去几十
导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻（Resistance，通常用“R”表示）是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种性质。导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆，简称欧，符号位Ω。
绝缘栅型场效应的栅极与源极、栅极、漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。它的栅-源间电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，而广泛用于大规模和超大规模集成电路中。与结型场效应管相同，MOS管也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此MOS管的四种类型为：N沟道增强型管、N沟道
这篇文章是。总的来说，就是在满足的情况下得到了一系列的波形解集，由此拓展了E/F类的宽带设计空间。还有一篇文章思路非常相似，但是是对EF2模式进行推导的，就是在满足的情况下得到了一系列的波形解集。，发表于ICAS-I，2022。但是，在我看来，，只是当成了能量转换器，。但是。
在集成MOS电路中，常采用N沟道MOS管与P沟道MOS管组成的互补电路(简称CMOS电路)，其结果与电路如下图所示。在制作横向PNP型管时，若作多个集电区，则得到多集电极管，各集电极电流之比决定于对应的集电区面积之比，其结构与符号如下图所示。PNP型管有衬底PNP管和横向PNP管，其结构如下图所示，衬底PNP管以隔离槽为集电极，是纵向管，即载流子从发射区沿纵向向集电区运动。利用上述的工艺过程在隔离
接触的第一个项目中涉及到JESD204b接口的问题。由于初次接触，并且对使用的AD/DA芯片不是很熟悉，所以遇到了一些问题。摸爬滚打后项目算是跑通了，将有关该接口的总结与心得记在这里。文章结合实例先后给出了JESD204b接口的介绍、参数、实际配置流程。JESD204是基于SERDES的串行接口标准，主要用于AD/DA芯片和逻辑器件之间的数据传输，最早版本的是JESD204a，现在是JESD204
LDO稳压器是一种半导体稳压器，在所需输出电压不同于输入电压时使用。例如，假设输入电压为5V，所需输出电压为3V。这种情况下，LDO稳压器是简单经济的电源稳压解决方案。输入输出电压差小的稳压器称为LDO稳压器。LDO代表低压差；LDO稳压器是一种输入输出电压低压差的线性稳压器。本文说明为什么电子设备需要LDO稳压器才能稳定运行并提供简要描述。线性稳压器是一种稳压器IC，随着输入电压或输出电流的变化
全部工程下载：大家也可以自己复现，毕近论文就在那边嘞现在是2024年了，现在来看这个RF-Input的LMBA到现在已经有差不多7年了，但是这篇论文是非常经典，学习功放和LMBA的推荐阅读下。
其主要是将辅助功放在峰值和回退的电压比Kva作为变量，Kva=9/7时，其工作于hybrid Doherty maximum模式，当Kva=2时，工作于经典的DPA模式。原来的作者在论文中贴出了微带电路图和原理图，都是比较准确并且对的上的，但是由于精度问题（论文中是mil单位，没有保留小数），我做了一点点优化。VGS,mb指的是将输出基波幅度推至22V所需的栅极基波电压幅度，由于频率越高增益降低，
这个文章中实现的效率和回退效果是非常的好，但是我自己的复现非常强差人意，我复现的时候基本搞清楚了文中的理论计算什么的，也基本按照要求实现了阻抗，但是效果还是很差，懂行的朋友可以一起研究下，最上方下载链接有全部的文件。至于为什么不直接使用作者给出的原理图进行复现呢？老问题，原理图画的和实物图对不上，哪怕是另一个基于连续相位负载调制的单输入宽带混合Doherty功率放大器设计我复现的比较好，它原理图和
场效应管放大电路的动态分析一、场效应管的低频小信号等效模型二、基本共源放大电路的动态分析三、基本共漏放大电路的动态分析场效应管由于它还有噪声低、温度稳定性好、抗辐射能力强等优于晶体管的特点，而且便于集成化，构成低功耗电路，所以被广泛地应用于各种电子电路中。与共射放大电路类似，共源放大电路具有一定的电压放大能力，且输出电压与输入电压反相，只是共源电路比共射电路的输入电阻大得多。因此，场效应管放大电路
ADS使用记录之使用RFPro进行版图联合仿真中介绍了使用RFPro对微带电路进行S参数仿真的方法。ADS使用记录之使用RFPro进行版图联合仿真-加入集总元器件中介绍了对含有集总参数模型的微带线电路进行S参数仿真的方法。但是，很多情况我们需要的并不是S参数仿真，例如在功率放大器的设计中，我们实际使用的是谐波平衡仿真，那么如何使用RFPro的结果进行谐波平衡仿真呢，下面对此进行简单介绍。ADS使用
场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管不但具备双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达1071012Ω，噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强，且比后者更省电，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛应用于各种电子电路之中。
尽管 **E 类PA**可以用相对**简单的电路拓扑**实现100%的理论效率，但它面临着**高峰值开关电压**的问题。将E类**开关模式和谐波调谐技术相结合**，可以得到 Class-EF 或 E/F 模式。
微波网络的参量包含以端口的归一化电压和归一化电流定义的阻抗Z参量，导纳Y参量以及转移A参量，还包括以归一化入射波电压和归一化反射波电压定义的散射S参量，传输T参量。在微波波段，端口的归一化电压和归一化电流很难测量到，而归一化入射波电压和归一化反射波电压则容易测量，故ST参量是微波网络分析中应用最多的参量。
与晶体管放大电路一样，为了使电路正常放大，必须设置合适的静态工作点，以保证在信号的整个周期内场效应管均工作在恒流区。下面以共源电路为例，说明设置Q点的几种方法。
稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内(或者说在一定的功率损耗范围内)，端电压几乎不变，表现出稳压特性。因而广泛用于稳压电源与限辐电路之中。
电路阻抗指集总参数电路中的电阻、电感和电容通过串联和并联所形成的阻抗，电阻形成阻抗的实部，电感和电容形成阻抗的虚部. 电阻的大小与频率无关，电感形成的感抗与频率成正比，电容形成的容抗与频率成反比.具体来说，阻抗Z=R+jX, 其中R为电阻，X为电抗. 电抗包括容抗与感抗，jX=jωL+jωC1.L为电感，C为电容，ω为角速度....
由伏安特性折线化得到的等效电路二极管的微变等效电路
它并不是只发有用信号，只要是源端供过来的所有信号，有用没用，它都会发射出去，只是不同频点的信号，发射出去的效率也不一样，在谐振频点的信号发射效率就高，其他频点效率就低点。讲一个真实案例，我曾经在做项目的过程中，碰到一个非常严重的信号干扰问题，当时的情况是，LTEB41的发射杂散严重干扰了WIFI2.4G的接收信号，导致共存测试无法通过。前不久，我们电巢射频组接到了一个射频相关的咨询项目，客户需要解
列出了归一化负载、史密斯圆图中的正向反射系数S11、传输线上的电压波形、驻波比之间的关系表
由于半导体材料的热敏性，晶体管的参数几乎都与温度有关。对于电子电路，如果不能解决温度稳定性问题，将不能使其实用，因此了解温度对晶体管参数的影响是非常必要的。
dBm/Hz与dBm
当电流通过线圈时，会产生磁场。ϕLiL即为线圈的，也就是电感。将漆包线、纱包线或塑皮线等在绝缘骨架或磁芯、铁芯上绕制可以形成的一个器件。当线圈通过电流后，在线圈中会形成感应磁场，感应磁场又会产生感应电流来阻碍线圈中电流的变化。这种电流与线圈的相互作用关系称为感抗，也就是电感。相应的器件称为电感器。
在芯片学习的过程中，英语不好或者新手工程师在面对芯片手册时一筹莫展，本人也曾经在这个阶段，所以特写此文章。希望对你有所帮助。此文章注重应用，轻原理。想对BUCK电路原理进行进一步探究的话，请移步原版芯片手册。
生活不易，喵喵叹气。马上就要上班了，公司的ADS的版权紧缺，主要用的软件都是NI 的AWR，只能趁着现在没事做先学习一下子了，希望不要裁我。用了一段时间，AWR感觉也挺好用的。本AWR专栏只是学习的小小记录而已，都会分享工程，参考的书籍是张媛媛老师的AWR射频微波电路设计与仿真教程，我目测是由浅入深非常好的书籍。。当时直接套ADS模板就行了，只能说ADS在进行这些常用电路设计时比AWR方便多了。
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