嵌入式中状态机

本文总结了一套详尽的C语言编码规范，主要包含以下核心内容： 代码风格一致性：强调遵循现有代码风格，使用4空格缩进、C99标准，避免制表符等基础规则 命名规范：规定变量/函数使用小写加下划线，宏全大写，禁用双下划线前缀等命名规则 语法规范：包括指针声明对齐、复合语句花括号使用、switch-case缩进等具体语法要求 文档标准：强制要求Doxygen格式注释，详细规定结构体、枚举、函数等文档注释方式

在 https://makefiletutorial.com 上有一个非常好的给初学者的 Makefile 教程，强烈建议看一下。下面我将列出一些非常必要的概念以理解我们所使用的 Makefile。的配置文件，从中读取执行动作的指令。这种自动化方式非常棒，因为这样可以把构建固件的过程、使用了哪些编译标记等也文档化。命令行工具替代手动敲入“编译”、“链接”、“烧写”这些命令，自动完成整个过程。的修改

首先附上一张VS Code图一直都喜欢这种，黑色主题感觉高大上。

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目标网络是DQN算法中的关键创新之一。在DQN中，每隔一定的时间步，目标网络的参数会被更新为在线网络的参数，这样可以减少学习过程中的震荡和发散问题。在不断变化的数据（如强化学习中的状态和奖励）上训练一个网络时，如果使用即时更新的数据来计算目标值，会导致训练目标和网络参数之间的紧密耦合，这种耦合会使得学习过程变得非常不稳定。在传统的Q学习中，Q表在每一步更新时都会用到，这会导致目标Q值和预测Q值在相

三角形缺陷是4H-SiC（碳化硅）外延生长中的一种特殊形貌缺陷，具有以下特点：1.形貌特征：三角形缺陷起始于外延层/衬底界面处，在基晶面内延伸到外延层表面。U-GSB和D-GSB之间的距离随外延层厚度增加而增大，可用d/tan(4º)表示，其中d是外延层厚度，4º是衬底偏角。小坑缺陷的本质是衬底TSD位错贯穿到外延层的顶端，因此外延层小坑缺陷的密度和分布与衬底TSD位错的密度和分布相近。这意味着，

Microsoft Visual C++，（简称Visual C++、MSVC、VC++或VC）是Microsoft公司推出的以C++语言为基础的开发Windows环境程序，面向对象的可视化集成编程系统。

温度检测回路采用分压电路，由于热敏电阻TR1常温时（25℃）阻值为10K，所以R44取10K的精密电阻。当温度在高温区时，用此电路测试温度是T，那么实际温度应该是T±0.326℃。当温度在低温区时，用此电路测试温度是T，那么实际温度应该是T±0.519℃。当温度在常温区时，用此电路测试温度是T，那么实际温度应该是T±0.051℃。考虑温度、初始及老化公差， R44精度选为2%，R0精度选为2%。当