本文针对国科安芯AS32S601ZIT2型32位RISC-V架构MCU，基于脉冲激光单粒子效应辐照、100MeV质子单粒子效应辐照及钴-60γ射线总剂量辐照试验，系统评估了该器件在商业航天环境下的抗辐射性能，深入探讨了该型MCU在星载原子钟温控、频率锁定及驯服控制等关键功能模块中的适用性，分析其在低轨卫星互联网星座长期运行中的可靠性表现，为星载时频基准系统的器件选型与加固设计提供试验依据。器件的2

本文以国科安芯AS32S601系列RISC-V架构微控制器为研究对象，分析其面向辐照环境与高电磁干扰场景下MCU的抗干扰设计技术体系，揭示了该型MCU在抗单粒子锁定（SEL）阈值、总剂量耐受能力及功能安全架构方面的技术特征，并进一步探讨了该架构在电机控制应用中的电磁兼容设计策略，为相关领域的工程实践提供理论参考。脉冲激光试验报告指出，在1585pJ（等效LET值65 MeV·cm²·mg⁻¹）激光

同时，借助先进的系统仿真工具与可靠性评估方法，对整个运动控制系统在全寿命周期内的可靠性进行综合分析与优化，实现芯片与系统其他部件在可靠性方面的最佳匹配，从而提高整个商业航天运动控制系统的可靠性和任务成功率。同时，建立完善的芯片售后可靠性支持服务，对在轨运行的芯片进行长期跟踪监测，及时收集故障信息，开展失效分析与改进工作，不断优化芯片的可靠性设计与生产工艺，为商业航天运动控制系统提供持续可靠的芯片产

摘要：伴随商业航天产业的爆发式增长，采用商用现货（COTS）元器件构建卫星电子系统已成为降低制造成本、缩短研制周期的主流技术路径。光电载荷作为遥感卫星的核心分系统，其控制单元的抗辐射能力直接决定任务数据质量与系统生存性。本文针对国科安芯推出的AS32S601型微控制器单元（MCU）在商业卫星光电载荷控制系统中的适用性展开系统性评估研究，整合质子单粒子效应、钴源总剂量效应及脉冲激光单粒子效应三项地面

研究发现，ASP3605在常规工况下负载调整率优于0.2%，但在轻载至重载跳变时输出电压偏离可达-10.83%（VIN=4V, VOUT=3.3V），需通过优化补偿网络参数（R=14kΩ-16kΩ, C=220pF-470pF）改善动态响应。静态负载调整率定义为在恒定输入电压下，负载电流从零载变化至满载时输出电压的相对变化率，测试覆盖VIN=4V/12V/15V，VOUT=0.6V/1.2V/2.

为降低平均功耗，系统采用动态功耗管理策略：在待机模式下，主MCU进入Sleep状态（功耗约8mA），备MCU进入Deep-sleep状态（功耗仅0.3mA），整体功耗降至10mA以下；系统采用三级故障检测机制：第一级为硬件心跳检测，主MCU每50ms输出一个持续1ms的高电平脉冲至备MCU的GPIO中断引脚，备MCU采用硬件定时器捕获该脉冲，若在150ms窗口期内未捕获到有效脉冲，则触发一级告警；

在实际编程开发之前，我们首先对芯片的启动流程进行一下介绍，对于绝大多数嵌入式工程师而言，在MCU开发过程中，通常只需要完成C语言代码功能，即可利用集成开发环境编译出来芯片的可执行文件，但在此过程中，编译器进行了一系列编译操作来保证MCU可以支持C程序的运行，因此，实际的完整工程代码中，总共包含了三类文件：汇编文件、C程序代码以及链接脚本。第10行，保留符号__iar_cstart_init_gp，

本文聚焦于 国科安芯推出的AS32X601 芯片的 Flash 擦写调试工作，深入剖析其片内 Flash 存储器架构，详述 Flash 控制器功能与运作机制。通过对 Flash 指令集的解读，梳理 Flash 擦写操作流程，探讨擦写过程中可能遭遇的挑战及应对策略，旨在为芯片应用开发者、硬件工程师等专业人士提供系统且详实的参考资料，助力其精准操控 AS32X601 芯片 Flash，保障嵌入式系统稳

同时，在 “GNU RISC-V Cross C Linker” 中指定链接脚本文件 link.lds，并勾选相应选项，实现程序存储布局优化配置，合理安排代码、数据在芯片存储空间中的分布，对于嵌入式系统资源受限场景下的程序运行至关重要。例如，当需要添加新的外设驱动功能或引入第三方软件库时，只需在相应目录下进行文件增删操作，并在项目配置中更新头文件路径与链接选项，即可快速完成功能集成，无需对现有工程

随着RISC-V技术的不断发展和生态系统的完善，其在机器人关节控制中的应用将为机器人技术的创新和发展提供强大的支持。例如，在汽车制造中，工业机器人需要精确控制关节的位置和力矩，以确保焊接和装配的精度；例如，发那科（FANUC）的CR-35iA协作机器人采用了RISC-V内核的嵌入式系统，通过实时监测关节的力矩和位置，确保在与人类协作时的安全性。基于RISC-V的嵌入式系统通过内置的硬件FPU（浮点