NVMe即Non-Volatile Memory Express，是非易失性存储器标准，是跑在PCIe接口上的协议标准。NVMe在设计之初就充分利用了PCIe SSD的低延时、高并行性，还有当代处理器、平台与应用的高并行性。NVMe为SSD而生，但不局限于以闪存为媒介的SSD，它同样可以应用在高性能和低延迟的3D XPoint这类新型的介质上。1.低延时(Latency)造成硬盘存储延时的三大因素

1.缓存行与纠错码纠错码（Error Correcting Code，ECC）用来保护持久内存的数据正确性，涉及两个缓存行，这也意味着读操作会读出两个缓存行的数据。而对于写操作，持久内存控制器会尽量同时处理两个缓存行来优化性能。但是对于写一个缓存行，持久内存会通过读—修改—写来完成操作（ECC重新计算）。2.介质的组织持久内存的介质被组织成ECC块，每个ECC块包括4个微处理器缓存行（每个64字节

易失性设备需要维持供电，断电后数据会丢失，如SRAM（Static Random AccessMemory，静态随机存储器）和DRAM（Dynamic Random AccessMemory，动态随机存储器）。非易失性设备，如EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）和Flash，数据在断电后可以继续存在。缓存使用SRAM

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