先说明一下什么是磁饱和。导磁物质可理解为由一个一个方向杂乱的磁畴组成。有外加磁场时，随磁场强度升高，磁畴变得同向的程度也升高，到所有磁畴都同向时，就达到了磁饱和。变压器铁芯在线圈产生的磁场中，线圈电流增大，感应磁场也增大，感应磁场是阻碍电流变化的，在交变电流情况下会达到一个平衡，感生电动势和电源电压时时相等，电流也维持在一个稳定的交流值。一旦铁芯达到磁饱和，感生电动势就不再随着电流增加而增加，再有

对于CMOS管，大家都清楚线性区和饱和区，管子的工作状态一般也在饱和区。电压电流关系如下：不过gm的两段论还是粗浅了，在深亚微米的工艺下，CMOS不仅工作在饱和区和线性区，还有可能工作在亚阈值区和深三极管区。亚阈值区（即second-effect order效应中的subthreshold conduction）是CMOS器件在现实中并不会像理想情况那样，在Vgs

而电感的电流是不能断的，死区时间电感的电流就是走的下管的体二极管。这个管子导通电流可以到59A，在10us时间内能通过的电流是236A，而体二极管也是236A，二者是相同的，而且都很大，也就是说体二极管的瞬间电流根本就不会成为使用的瓶颈。也就是说，下管NMOS的电流方向是从S到D的，也就是反着流，并且这个电流可以是很大的，因为电感的电流是可以比较大的，跟负载有关。从上表直接可以看到，体二极管的持续

在单精度32位格式中，1位用于指示数字为正数还是负数。指数保留了8位，这是因为它为二进制，将2进到高位。其余23位用于表示组成该数字的数字，称为有效数字。而在双精度下，指数保留11位，有效位数为52位，从而极大地扩展了它可以表示的数字范围和大小。半精度则是表示范围更小，其指数只有5位，有效位数只有10位。半精度的格式与单精度的格式类似，最左边的一位仍是符号位，指数有5位宽且以余-16（excess

中国矿业大学信控学院补一下我之前在博客园发布的内容懒得调了，想复制完整代码直接复制最下面的，想复制分布代码去看我博客园链接吧《数据结构与算法分析》课程设计——迷宫问题 - 刷子zz - 博客园一、问题描述问题中迷宫可用方阵[m,n]表示，0表示能通过，1表示不能通过。若要从从左上角[1,1]进入迷宫，设计算法，寻求一条从右下角 [m,n] 出去的路径。我们用递增的数来代表寻找出口方向与步数，用-2

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1.实现效果2.代码import cv2fname = './data_set/face_detection/WIDER_test/images/1--Handshaking/1_Handshaking_Handshaking_1_9.jpg'img = cv2.imread(fname)# 画矩形框 距离靠左靠上的位置pt1 = (651, 460) #左边，上边#数1 ， 数2pt2 = (1

1.问题当我用python直接读取日期和时间的时候，发现读出来的全部都是数字2.解决方法import xlrdfrom datetime import datetimefrom xlrd import xldate_as_datetime, xldate_as_tupleclass excel_read:def __init__(self, excel_path='E:/QQ/624531420/