如前所述，封装工艺的主要用途包括将半导体芯片的信号发送到外部，而在晶圆上形成的凸块就是发送输入 / 输出信号的接触点。刻蚀的方法主要分为两种，取决于所使用的物质：使用特定的化学溶液进行化学反应来去除氧化膜的湿法刻蚀，以及使用气体或等离子体的干法刻蚀。此外，氧化设备产生的压力和温度越高，氧化层的生成就越快。针对这个问题，我们不再去刻蚀铜，而是沉积和刻蚀介电材料，这样就可以在需要的地方形成由沟道和通路

^abcd表示在一行的开头找到abcd，/abcd$表示在一行的结尾找到abcd。但是，在/abcd^efgh和/abcd$efgh中，^和$只是普通字符，没有特殊含义。相比之下，以下每一项在搜索模式中都具有特殊的含义。\n换行符（行尾）\_s是一个空格（空格或制表符）或换行符\_^开始一行（零宽度）\_$一行的结束（零宽度）\_.任何字符，包括换行符。...

接口速度决定SSD的性能上限。为避免PCIe链路以较低的速率工作导致PCIe SSD性能下降（如PCIe 4.0的SSD以PCIe 1.0速率工作），自PCIe 2.0开始，PCIe SSD在初始化过程中，会在链路训练（Link Training）阶段进行链路信号质量、速率、链路宽度的调节，它由链路训练状态机（Link Training and Status State Machine，以下简称L

两个verdi同时打开同一份代码的不同仿真波形 可以在一个verdi波形窗口选择信号 拖拽到另一个verdi波形窗口，这样便于在两个波形窗口比较数据，这种比用rc文件交互快捷方便。打开trace的电路窗口之后 可以选信号和cell 右键可以查看更多操作，同时可以直接ctrl+4添加到波形。可以在波形窗口(右边的波形窗口而不是显示波形信号的地方)右键--》Temporal Flow View-特别是

其中xxx就是被disable的某一项规则。在disable_block和enable_block之间的verilog code就是作用区域。如果没有enable_block语句，则disable_block的默认作用范围到endmodule。而且会报一个un-paired block waiver pragma defined for rule 'xxx'

键摄者说（二）——解读常见传感器的CFA排列

以一个面向未来的L3域控制器为例，传感器的输入输出就包括了百兆以太网传进来的4D级联雷达的FFT Peaks，千兆以太网进来的Lidar点云，LVDS/Serdes的摄像头原始信号，还有整车的以太网backbone，HDMI的输出等。在下一代的TC4中，在更高带宽的通信接口中，我们会引入五千兆以太网，以及专门为提高和SoC通信速率的PCIE接口，大家知道目前在主流的ADAS域控制器架构中SoC和M

Multiprocessing.Pool可以提供指定数量的进程供用户调用，当有新的请求提交到pool中时，如果池还没有满，那么就会创建一个新的进程用来执行该请求；但如果池中的进程数已经达到规定最大值，那么该请求就会等待，直到池中有进程结束，才会创建新的进程来执行它。Pool类用于需要执行的目标很多，而手动限制进程数量又太繁琐时，如果目标少且不用控制进程数量则可以用Process类。processe

目前，三星的3D V-NAND存储单元的层数已由2009年的2层逐渐提升至24层、64层，再到2018年的96层[2]，2019年8月完成128层V-NAND闪存的开发，并实现量产。以图5所示的晶体管和图6所示的闪存单元举例，电路元器件的结构不管是平面的(图5a、图6a)，或者是侧向的(图5b、图6b)，元器件上面不再有元器件的堆叠。为了节省硅片面积，在下面的电路层制作完成之后，可以继续在其上制做

目录1.AC/DC介绍及区别2.DC/ACmode(a).DCmode(b).ACmode1.AC/DC介绍及区别70年代到1995年这段时间里，由于芯片的工作频率很低只有20-100M，scan测试只有DCSCAN，我们就能捕捉到所有std-logic的制造缺陷。但是1995年以后，测试科学家和工程师发现通过DCSCAN测试没有缺陷的芯片在高工作频率下使用会有问题。其根本原因是随着制造工艺向深亚