这一去，原边MOS管的电流过冲幅度降了，RCD吸收二极管的阴极电压过冲也明显降低了。当我们把串联电阻改为30欧姆时，原边MOS管的D极电压振荡波形的斜率变了，过冲幅度也相对减小了。原边MOS管的D极电压过冲和振铃都有了明显的改善，RCD吸收二极管的阴极电压过冲也降低了，就连MOS管的电流尖峰都跟着降了下来。不同的二极管、不同的串联电阻参数、是否并联电容以及是否串联磁珠，都会对电路的波形产生不同的影

此外，根据半导体材料的物理特性，还有磁性半导体、压电半导体、铁电半导体、有机半导体、玻璃半导体、气敏半导体等之分。目前获得广泛应用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、硫化镉、锑化铟等，其中锗、硅材料的半导体生产技术最为成熟、应用得最多自然界中物质存在的形态有气态、液态和固态。固体材料是由原子组成的，原子是由原子核及其周围的电子构成的，一些电子脱离原子核的束缚，能够白由运动时，称为白由电子。此

当多个电源引脚远离滤波电容较远时，不同引脚会因为共用一段PCB布线而形成共阻抗耦合，如上图所示。受限于芯片内部供电电源引脚内阻的影响，有时候高频的退耦和旁路效果不理想时，则可以采用不同电源引脚单独退耦并增加磁珠进行高频衰减隔离的对策来解决共阻抗耦合的问题。芯片不同供电电源引脚使用单独的高频电容进行高频退耦，而低频退耦或者滤波则可以共用滤波电容，这是因为低频寄生电感的影响可以忽略不计。低成本设计时，