目录四.问题1. FE8.1晶振不起振 两端电压为3.3V和3.4V2.二、1.2.四.问题1. FE8.1晶振不起振 两端电压为3.3V和3.4V2.二、1.2.

可以利用__attribute__((section(".xxx")))实现同样的效果步骤：1.在linker连接文件中添加指定SDRAM加偏移地址MEMORY{rom(rx): ORIGIN = 0x08000000, LENGTH = 2048k - 64kram(rwx) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 128kram1 (rwx) : ORIGIN = 0x

使用CUBE配置STM32H7 多通道ADC,生成的代码只会有最后配置的通道；其余通道需要自行添加！！！

不同封装晶振的输出能力是不同的 调试芯片要注意

在一些情况下，需要将float数组转换成uint8_t格式；因为某些函数的入口是uint8_t；如串口DMA发送函数：HAL_UART_Transmit_DMA此方法会牺牲数据精度；使用请考虑精度要求。//Float To Uint8 函数；使用round函数四舍五入，取整并存放发到char_arrayvoid FloatToUint8(uint8_t * char_array,float3...

若以功率的观点来看，驻波比可以表示为：SWR = (√Po + √Pr)／(√Po - √Pr)Po：进入天线系统的功率Pr：从天线系统反射回来的功率经过运算SWR 与 Pr/Po (反射功率百分比)的关系如下：Pr/Po = [(SWR-1)/(SWR+1)]^2其实驻波比测试仪基本上就是功率表，它可以量测输入功率及反射功率...

#1 获取flash 大小void GetFlashSize(void){uint16_t Stm32_Flash_Size;Stm32_Flash_Size = *(uint16_t*)(0x1FFFF7E0);//闪存容量寄存器printf("芯片闪存容量大小为%dK\r\n",Stm32_Flash_Size);}#2 获取 un...

文章目录前言一.多址方式二.双工方式三.Q&A前言TD-SCDMA、WCDMA、CDMA三种方式的共性是多址方式用都用到CDMA，三者最主要的区别是双工方式不同，TD-SCDMA是时分双工TDD，WCDMA和CDMA2000是频分双工FDD。所以要入门，首先要搞懂什么是多址方式，什么是双工方式。一.多址方式  多址方式中的“址”就像给每个手机用户给一个“住址”，但这个住址不是按照门牌号区分

最近在项目中遇到了 通过SPI DMA方式读写W25Q256；网上许多例程都是直接读取flash，读写会占用比较长的时间 ，如果这个SPI上还挂载了其他SPI 器件，如SPI显示屏，就需要通过开启DMA来提升速度了。在这里记录一下我的调试过程：一.详细CUBE 配置1.基础设置，我用的是SPI6.2.DMA设置，并设置中断优先级3.SPI globalinterrupt不用开启然...

保存退出，然后执行make命令编译内核，然后将镜像拷贝到tf卡第一分区中，此时可以看到屏幕已经可以驱动起来了，并且/dev目录下有fb0设备。fb 挂载成功后，控制台驱动检测到 fb 设备后会自动将 fb0 映射到 tty0 上，这样 tty0 实际上就是 fb0 ttys0则是串口。此时可以看到屏幕刷新了，然后编程了黑色背景，同时出现了光标，从终端的 log 可以看到，当。现在所有的修改都完成了