噪声抑制用DNN方案（如启英泰伦BNPU），70dB噪声下识别率≥85%；回声消除用自适应滤波+硬件加速，要求ERLE≥40dB、收敛≤2秒；远场拾音用双麦阵列+波束成形，支持5米拾音。启英泰伦CI1302/1303单麦AEC≥45dB + DNN降噪¥12-13AI玩具主力。芯片集成方案：启英泰伦BNPU + DNN残差降噪，70dB噪声环境下识别率≥85%消声室测试无反射、无背景噪声播放粉红噪

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主流级（6-15元）：杰理AW30N、全志R128、启英泰伦CI13242，AI玩具首选；动态码率：安静环境用低码率（8kbps），复杂场景用高码率（32kbps）入门级（3-8元）：杰理AD16N、唯创WT2606A，适合低成本故事机；先降噪后编码：编码前做回声消除、降噪处理，低码率也能保清晰度。优势：低延迟（<100ms）、抗丢包、支持全双工对话。优势：压缩率极高（低至0.5kbps）、语义理

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选择project–project options --options，按下图操作：

基于GB4943查询爬电距离和电气间隙

由于老化测试中一般芯片都在socket中测试，所以晶振不能与Socket放置在同一面，否则晶振会距离芯片较远。晶振放在反面则需要打孔后连接至芯片管脚，此时需要在打孔附近增加回流地孔。晶振尽量靠近芯片，保证线路尽量短，防止线路过长导致串扰以及寄生电容。有源晶振需额外注意电源滤波电路处的电容，从大到小依次靠近晶振放置。部分晶振底下需要做掏空处理，以防电容效应以及热效应造成频偏。如果是铁壳晶振，外壳做接

19.BOOST 电路工作在连续模式，仅 BOOST 电路的输入电压升高时，下面描述不。在正向转换的情况下，如果 SC 架构的 Si 基芯片支持从 6V 到 3V 的转换，17.栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成 P 沟道，该 MOSFET 为。28.在连续工作模式下，如果 Buck 变换器的占空比为 Dy，则其输出与输入电压。定可以将输入电压从 3V 升高到 6V，因为 SC 架构的

快捷键VB，翻转后底部视图所有显示就正常了，当底层确认之后再按VB就回到正常状态。注意，经过VB反转BOTTOM后TOP层的丝印变镜像翻转了。否则你就看到一个镜像的丝印。设计完毕后调整过来即可。