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PCB晶振布局

由于老化测试中一般芯片都在socket中测试,所以晶振不能与Socket放置在同一面,否则晶振会距离芯片较远。晶振放在反面则需要打孔后连接至芯片管脚,此时需要在打孔附近增加回流地孔。晶振尽量靠近芯片,保证线路尽量短,防止线路过长导致串扰以及寄生电容。有源晶振需额外注意电源滤波电路处的电容,从大到小依次靠近晶振放置。部分晶振底下需要做掏空处理,以防电容效应以及热效应造成频偏。如果是铁壳晶振,外壳做接

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#pcb工艺
【第一套】2023 秋招/2024 年校招-华为-硬件-电源方向笔试题

19.BOOST 电路工作在连续模式,仅 BOOST 电路的输入电压升高时,下面描述不。在正向转换的情况下,如果 SC 架构的 Si 基芯片支持从 6V 到 3V 的转换,17.栅电压为零,沟道不存在,加上一个负电压才能形成 P 沟道,该 MOSFET 为。28.在连续工作模式下,如果 Buck 变换器的占空比为 Dy,则其输出与输入电压。定可以将输入电压从 3V 升高到 6V,因为 SC 架构的

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#面试
AD软件底层丝印反转

快捷键VB,翻转后底部视图所有显示就正常了,当底层确认之后再按VB就回到正常状态。注意,经过VB反转BOTTOM后TOP层的丝印变镜像翻转了。否则你就看到一个镜像的丝印。设计完毕后调整过来即可。

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#pcb工艺
电阻篇 | 一、零欧姆电阻的12种作用

地是参考0电位,所有的电压都是参考地得出来的,地的标准要一致,故各种地应该接在一起,人们认为大地能吸收所有电荷,始终维持稳定,是最终的参考点,虽然有些板子没有接大地,单发电厂是接大地的,板子上的电源最终还是会返回发电厂入地,如果把模拟地和数字地大面积直接相连,会导致互相干扰。用0欧电阻链接:0欧电阻相当于很窄的电流通路,能够有效地抑制环路电流,使噪声得到抑制,电阻在又有频带上都有衰减作用,0欧电阻

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#单片机#嵌入式硬件#硬件架构 +1
在Altium Designer 实现元器件旋转45°放置

在Preferences >> PCB Editor >> General中将Rotation Step(旋转的步进值)由90改为45,这样以后每次按空格键旋转器件时旋转角度为45°。

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#pcb工艺
【转载】RS485因为上下拉电阻通讯不良分析

在正常运行下,485总线有一个有效的信号由一个有源驱动器应用,给出一个幅度超过485阈值200mv的差分电压。RS-485收发器的发送电路至少提供1.5V差分电压输出能力,经由总线线路阻抗衰减,32个接收电路输入阻抗,以及120Ω端接电阻,差分信号的幅度必然逐渐衰减,那么至最末端还需要至少提供200mV的差分电压给末端接收电路。对于没有阈值偏置的收发器(就是接收差分电压不在0V以下),为了符合DL

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#硬件工程
【第二套】华为 2024 年校招-硬件电源岗

14.⼯作在放⼤区的晶体管,当 IB 从 10μA 增⼤到 20μA,IC 从 1mA 增⼤到 2mA,它的 β 为。C. 三极管属于单极型电压控制开关器件,MOS 属于双极型电流控制开关器件。D. 三极管和 MOS 都有三个电极,分别为基极、集电极、发射极。25.实验时,TTL 芯⽚发烫,不可能的原因是()B. 三极管属于电压控制,MOS 属于电流控制。2.PID 中的 I 和 D 的作⽤分别是

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#面试
到底了