有人说BIOS程序就是按照硬件手册和根据用户选择填寄存器，几张表就能解决的事为什么要这许多程序呢？虽然数千个选择形成的组合爆炸让穷举表成为不可能，但它也道出了BIOS大部分程序的实质：填写寄存器。有一个声音发出了不同意见，在BIOS程序里面，长期居住了一个另类，他的名字叫做MRC：内存参考代码。他的任务就是初始化内存，而他却管自己叫做Memory Training代码，主打的是调整时序和提高信号完

2020年2月6日，美光科技宣布交付全球首款量产的低功耗DDR5 DRAM 芯片，随后，三星S20系列和小米10系列手机先后发布，全新的LPDDR5内存成为两家的共同卖点之一，这也预示着DDR5的时代即将到来。今天我们就来聊一聊DDR5的发展过程，设计难题以及如何通过仿真来应对DDR5设计挑战。本文主要目录：01.DDR技术的发展历程02.DDR5的出现，带来了哪些设计挑战？03.如何通过仿真及建

内存(DRAM)作为当代数字系统最主要的核心部件之一，从各种终端设备到核心层数据处理和存储设备，从各种消费类电子设备到社会各行业专用设备，是各种级别的CPU进行数据处理运算和缓存的不可或缺的周转“仓库”，一个强大的核心处理单元也必须配备一个高速运转的宽通路的数据访问和存储单元。近20多年来，DRAM也快速地从20世纪末期的SDRAM发展到21世纪DDRRAM。在21世纪的前10年，DDR标准主要是

每个现代处理器都具有少量高速缓存。在过去的几十年中，缓存架构变得越来越复杂：CPU 缓存的级别增加到三级：L1、L2 和 L3，每个块的大小都在增长，缓存关联性也发生了几次变化。但在我们深入研究细节之前，您必须知道缓存究竟是什么以及它为什么重要？此外，现代处理器由 L1、L2 和 L3 缓存组成。这些缓存级别之间有什么区别？高速缓存与系统内存：SRAM 与 DRAM缓存内存基于速度更快（且价格昂贵

众所周知的称为“ rowhammer”的DRA​​M漏洞继续困扰着芯片行业，该漏洞使袭击者能够破坏或控制系统。已经尝试了解决方案，并提出了新的解决方案，但重大攻击的可能性仍然存在。大约在五年前首次发现，消除“rowhammer”威胁的大多数努力仅起到缓解问题的作用。“Rowhammer”是一个大问题。供应商声称它已被“修复”，但事实并非如此。如果仅看2020年发表的许多论文，你会看到很多证据。尽管

芯片测试分为如下几类：1. WAT：Wafer AcceptanceTest，wafer level 的管芯或结构测试；2. CP：chip probing，wafer level 的电路测试含功能；3. FT：Final Test，device level 的电路测试含功能。CP测试CP是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和bac

1.ATE=Automatic Test Equipment. 是自动化测试设的缩写，于半导体产业意指集成电路(IC)自动测试机， 用于检测集成电路功能之完整性， 为集成电路生产制造之最后流程， 以确保集成电路生产制造之品质。2.DUT= Device Under Test.待测设备，半导体行业一般是电子元器件/芯片。3.PIB= Prober Interface Board. 探针接口板：介于测

计算机内存主要有两种类型：主内存（RAM）和图形内存（VRAM）。前者利用 DDR4（很快还会有 DDR5），而后者利用 GDDR5（和 GDDR6）标准。但这两者有什么区别。在这篇文章中，我们将DDR4 与 GDDR5 和 GDDR6内存进行比较，并检查它们之间的异同。DDR4 与 GDDR5 内存DDR4 的运行电压低于 GDDR5，准确地说是 1.2 伏。另一方面，GDDR5 可以高达 1.

手机、笔记本电脑、云计算等对电子性能要求越来越高。除了处理器速度/性能外，内存在整体系统性能中也起着非常关键的作用。双倍数据速率（DDR）内存已成为主要选择，它具有低时延，大存储容量和低功耗。内存简介存储器是电子产品中的数据存储设备，主要用来存储数据处理过程中的数据。主存储器进一步分为随机存取存储器 (RAM) 和只读存储器 (ROM)。RAM 是易失性存储器，断电后数据会丢失，而ROM 存储器即

JEDEC定义并开发了三种DDR标准-标准DDR，移动DDR和图形DDR-以帮助设计人员满足他们的内存要求。DDR5将以更低的I / O电压（1.1V）和更高的密度（基于16Gb DRAM芯片）支持更高的数据速率（高达6400 Mb / s）。DDR5 DRAM和双列直插式内存模块（DIMM）在2021年已逐步投放市场。本文概述了DDR5 DRAM的几个关键功能，设计人员可以将其部署在服务器，云计