随着定制化技术的创新，目前市场上所看到的 EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM 等等这些产品，都是不同规格的 DRAM。展望 2024 年，云端数据中心需求持续领先成长， 5G 手机出货比重提升， DRAM 搭载也将同步增加，商用及游戏笔电需求仍强劲，目前仅手机及笔电到全球通膨、地缘政治、缺料影响较重，需求成长趋缓。全球经济前景不乐观，导致

算能（SOPHGO）成立于2020年，总部位于北京市，公司致力于成为全球领先的定制算力提供商。算能科技汇聚了大量芯片、算法、AI、CPU等领域的专业技术人才，研发人员比例超过60%，其中硕博士超过61%。算能科技与比特大陆（BITMAIN）在AI领域有技术、专利、产品和客户的共享，继承了比特大陆在AI领域的技术积累，专注于AI芯片、RISC-V CPU等算力产品的研发和销售。算能公司遵循全面开源开

栅电压IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值，设计合适驱动参数，保证合理正向栅电压。二相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选

目前市场几家龙头厂商 ——恩智浦（NXP）、瑞萨（Renesas）、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、微芯（Microchip）及意法半导体（ST）等 —— 有可能失去部分市占与市场的话语权。而至于前面所提到的车用 MCU，是当今 MCU 应用第二大的领域 ，不过车用 MCU 的成长率很快，未来有望成为 MCU 的主力应用产品。中国近年来发展 MCU 技术的进展飞快，多家重点厂商（例如

根据实现原理不同，隔离器件可以分为光电耦合隔离器（简称“光耦”）和数字隔离芯片两种，其中数字隔离基于 CMOS 工艺为电子系统中数字和模拟信号的传递提供电阻隔离特性，根据耦合元件不同又分为磁感耦合隔离芯片（简称“磁耦”）、电容耦合隔离芯片（简称“容耦”）和巨磁阻隔离等类型，因巨磁阻隔离应用相对较少，下文主要讨论光耦、磁耦与容耦。在隔离系统中隔离两端由于经常发生高压共模信号跳变，可能造成隔离器件的信