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【硬件学习—plecs波德图】

本文介绍了波德图在电路稳定性分析中的应用,重点阐述了通过相频特性曲线判断电路震荡风险的方法。详细讲解了PLECS软件中的AC Sweep功能,包括参数设置(频率范围、幅值、扫描方式等)及其在线性电路小信号分析中的作用。同时介绍了多音分析技术,对比了其与AC Sweep在激励信号、分析过程和适用场景等方面的差异。特别指出在滤波器分析时输入输出的特殊设置方式。文中配有多张参数设置界面示意图辅助说明。

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#嵌入式硬件#硬件工程#智能硬件 +1
器件(八)—芯片封装中的开尔文源极

而由于SiC MOSFET上流过的电流在达到极限值之前,都是外接回路给多少它流多少,所以单独接一个开尔文源极,就类似于在管道中把本来一个的出水口分成一大一小,管道内部腔体依旧相连,总出水量不变,栅源回路连接小出水口,漏源回路连接大出水口,而大小出水口并不连在一起(大源极连接在主功率回路里,开尔文源极连接在驱动功率回路中,两回路在电路板上被分隔成两个区域)所以大出水口上的动静不会影响小出水口,这时哪

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#单片机#嵌入式硬件
器件(六):一文读懂SiC MOSFET封装

本文详细介绍了SiC MOSFET封装技术的产生背景及模块封装的优化方向

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#人工智能#网络#嵌入式硬件 +2
器件(十)——经典封装类型总结

功率模块封装汇总,主要是针对SiC MOSFET的典型封装结构

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#嵌入式硬件#智能硬件#经验分享
器件(九)—对设计的模块进行双脉冲仿真

摘要:本文介绍功率半导体模块双脉冲仿真的3个关键步骤。首先在LTspice中搭建双脉冲测试电路;其次使用Q3D提取模块分布式参数,记录DC状态下的电感和电阻值;最后详细解析lib文件设置方法,重点说明可修改的寄生参数部分(Rs1、Ls1等源极参数,Rg、Lg等栅极参数,Rd、Ld等漏极参数),以及热网络参数。文中以ROHM的C2M0080170P.lib为例,解析了子电路结构,并指出应根据模块封装

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#硬件工程#智能硬件#嵌入式硬件 +1
器件(八)—芯片封装中的开尔文源极

而由于SiC MOSFET上流过的电流在达到极限值之前,都是外接回路给多少它流多少,所以单独接一个开尔文源极,就类似于在管道中把本来一个的出水口分成一大一小,管道内部腔体依旧相连,总出水量不变,栅源回路连接小出水口,漏源回路连接大出水口,而大小出水口并不连在一起(大源极连接在主功率回路里,开尔文源极连接在驱动功率回路中,两回路在电路板上被分隔成两个区域)所以大出水口上的动静不会影响小出水口,这时哪

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