该电流调节方案可在反向电流事件中支持平稳关机，并确保零直流反向电流。当使能引脚处于低电平时，控制芯片关闭，消耗大约。正向压降实现低损耗反向保护。该芯片可耐受低至-150V。的负电源电压，并提供负载保护。控制芯片内部集成电荷泵，可为外部。理想二极管控制芯片，与外部。的栅极将正向压降调节至。阳极至阴极正向压降调节。

单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉。灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。该芯片双输入设计（可选择反相。当输入引脚悬空时，输出保持在低电平。拉（对称驱动）电流驱动能力；离散解决方案的高品质替代产品。静态电流小，非常适合电池场合。低成本栅极驱动器器件提供。数字电源栅极驱动器件。

内部逻辑确保两个开关之间的先断后通操作。内部保护功能包括欠压锁定、热关断和输出电流限制。通过控制输出开关电压的斜率率以及采用频谱扩展时钟（直流电源供电，驱动低轮廓中心抽头变压器初级绕组。次级绕组可根据变压器匝数比提供任意隔离电压。）推挽变压器驱动器，专为隔离接口应用中的小型化隔离电源设计。由振荡器和随后的门极驱动电路组成，用于产生互补输出信号以驱动接地参考。外部时钟输入实现多设备同步。）技术，实现

与开环速度控制方法相比，速度闭环功能的加入极大地改善了长期应用中因生产偏差或负载变化引起的风扇速度波动问题，显著提高了风扇应用系统的一致性。程序化的软切换功能和负电流抑制功能有效减少了电机旋转过程中对电源的能量回馈，从而显著提升了芯片的静音性能。程序化的软启动功能有效减少了电机启动时的线圈电流过冲，客户可以配置软启动参数，以获得最佳的启动扭矩、声音和安全状态。芯片在整个驱动过程中集成了多种保护功能

与开环速度控制方法相比，速度闭环功能的加入极大地改善了长期应用中因生产偏差或负载变化引起的风扇速度波动问题，显著提高了风扇应用系统的一致性。程序化的软切换功能和负电流抑制功能有效减少了电机旋转过程中对电源的能量回馈，从而显著提升了芯片的静音性能。程序化的软启动功能有效减少了电机启动时的线圈电流过冲，客户可以配置软启动参数，以获得最佳的启动扭矩、声音和安全状态。芯片在整个驱动过程中集成了多种保护功能

的输入和输出管脚均具备完善的保护功能。输入电路能够承受远高于电源电平的过载电压。是一款实现真均方根值计算的芯片。该芯片能够精确计算包含交流和直流分量的任何复杂输入波形的真均方根值。输出需外接一个负载电容，该电容的值决定了低频交流精度、纹波幅度和建立时间。的一个重要特性是具有独立管脚将计算得到的真均方根值转换为。通过外部供电的基准电流电路，用户可灵活地将。在单电源或双电源供电下均表现出色，其工作电压

GaN FET/GaN HETM 丰富的应用方案包括 PD 快充适配器、PC 电源、电动工具充电器、电机驱动、超薄 TV 电源、新国标 EBIKE 电源、LED 驱动电源、储能双向逆变器、电池化成电源、ICT 服务器电源、算力电源、车载 DC-DC 等。

氮化镓是一种宽禁带半导体，具有高功率密度。氮化镓晶体管的特点是没有体二极管，因此反向恢复电荷为零。这种氮化镓高电子迁移率晶体管（）是一种高性能增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，可实现优异的高频和高效率运行。该氮化镓功率高电子迁移率晶体管结合了最高的。抗干扰能力以及行业标准的低轮廓、低电感、底部冷却表面贴装。封装，使设计人员能够实现简单、快速且可靠的解决方案。快速且可控的下降和上升时间。是一种增强型硅

氮化镓是一种宽禁带半导体，具有高功率密度。氮化镓晶体管的特点是没有体二极管，因此反向恢复电荷为零。这种氮化镓高电子迁移率晶体管（）是一种高性能增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，可实现优异的高频和高效率运行。该氮化镓功率高电子迁移率晶体管结合了最高的。抗扰性以及行业标准的低轮廓、低电感、底部冷却表面贴装。封装，使设计人员能够实现简单、快速且可靠的解决方案。快速且可控的下降和上升时间。是一种增强型硅基氮

的用户可以更专注于设计的其他方面，无需担心因意外器件激活导致的系统可靠性问题。他们也不需要设计额外的负电压驱动电路，多器件并联使用时因器件阈值电压不一致导致的问题也得到了解决。会触发保护机制，防止芯片在电压不足的情况下运行，从而避免潜在的损坏或不稳定工作。一旦电源电压恢复到正常范围，功能的主要作用是监控电源电压并确保其保持在安全范围内。），集成了单通道低端驱动器，专为高速应用中的氮化镓高电子迁移率