NSG2113是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道NSG2113的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2113内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的

NSG21281 是一组带过流检测的高电压、高速单通道 高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。NSG21281 采用高低 压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输 入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电 平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时， 关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT 端口输 出错误信号。NSG21281 其浮动通道可用于驱动高压 侧

高速风筒专用电机驱动芯片采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 650V。高速风筒专用电机驱动芯片采用SOP8 封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。○兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻

管 ， 对 高 侧 进 行 充 电 ， 简 化 了 芯 片 外 围 电 路。MOSFET ， 浮 地 通 道 最 高 工 作 电 压 可 达 250V。– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/150ns。NSG2023 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电。路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的。兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑。具有独立的高侧和低侧参考

NSG2007 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2007 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲 能力和防直通的死区逻辑。NSG2007 其浮动通道可用 于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工 作电压可达

自举工作的浮地通道  最高工作电压为+300V  兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑  dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns  Vs 负偏压能力达-5V  输入输出同相位  栅极驱动电压 --从 12 V 到 20V  集成欠压锁定电路 – 欠压阈值 9V/10.3V  芯片传输延时特性 – 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/150ns  宽温度

NSG21814 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱 动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率 地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干 扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电 路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入 电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平， 输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压 可 达 700V

NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可 用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。电

NSA2092 是一款高压、高性能的 D 类音频功率放大器 驱动芯片，针对超大输出功率的 D 类音频功放系统设 计。集成有模拟功率放大器，PWM 波调制电路，高、低压 侧过流保护功能（针对高低压侧两个功率器件），防直 通死区逻辑以及三个电压域（VAA~VSS / VCC~COM / VB~VS），该产品采用灵活开放式的拓扑结构实现 PWM 调制功能。NSA2092 集成了启动和关断期间的“咔哒”声

NSG0462UQ是一款三相高速功率MOSFET驱动器， 具有6个通道，最高工作电压可达40V。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。NSG0462UQ为PMOS 和NMOS输出10V 门电源电压， 为 了 简 化 PCB 设 计 ， NSG0462UQ 中 集 成 了 一 个 5V/40mA 的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑。dv