NSA2092 是一款高压、高性能的 D 类音频功率放大器 驱动芯片，针对超大输出功率的 D 类音频功放系统设 计。集成有模拟功率放大器，PWM 波调制电路，高、低压 侧过流保护功能（针对高低压侧两个功率器件），防直 通死区逻辑以及三个电压域（VAA~VSS / VCC~COM / VB~VS），该产品采用灵活开放式的拓扑结构实现 PWM 调制功能。NSA2092 集成了启动和关断期间的“咔哒”声

NSG0462UQ是一款三相高速功率MOSFET驱动器， 具有6个通道，最高工作电压可达40V。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。NSG0462UQ为PMOS 和NMOS输出10V 门电源电压， 为 了 简 化 PCB 设 计 ， NSG0462UQ 中 集 成 了 一 个 5V/40mA 的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑。dv

NSG7385 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片。–开通/关断传输延时Ton/Toff=130ns/130ns。国硅集成NSG7385完美替代国外厂商7385。输出级拉电流/灌电流能力350mA/650mA。应用开关电源、驱动器、逆变器、电机控制。型号国外厂商7385NSG7385。dVs/dt耐受能力可达±50V/ns。兼容3.3V,5V和15V输入逻辑。PIN脚定义P

内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时， 关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAUL端口输 出错误信号。NSG21276 其浮动通道可用于驱动高压 侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 300V。NSG21276 是一款带过流检测的高电压、高速单通道 高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输 入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS

高速风筒专用电机驱动芯片采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 650V。高速风筒专用电机驱动芯片采用SOP8 封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。○兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻

NSG21814 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱 动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率 地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干 扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电 路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入 电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平， 输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压 可 达 700V

G2061Q 是一组高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯 片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可 以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2061Q 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通 的死区逻辑。G2061Q 的浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V

产品简介：NSG0360是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具 有6个通道，最高工作电压可达30V。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。NSG0360为PMOS 和NMOS输出10V 门电源电压，为 了简化PCB设计，NSG0360中集成了一个5V/40mA 的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑。dv/dt 耐受能力可达±50 V/

1 产品特性  CMOS 施密特触发输入  输入输出同相位  兼容 3.3 V 输入逻辑  输出拉/灌电流能力：2A/2A  工作范围：5V~25V  高电容负载驱动能力： – 在 1nF 负载时，开关时间< 100ns  宽温度范围：-40℃~125℃  欠压锁定 – 欠压锁定正向阈值 4.0V – 欠压锁定负向阈值 3.9V  芯片开通/关断延时特性 – Ton/Toff =

自举工作的浮动通道  最高工作电压为 700 V  兼容 3.3 V 输入逻辑  dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec  Vs 负压耐受能力达-9V  栅极驱动电压：10 V 到 20V  集成先进的输入滤波功能  所有传输通道输入边沿触发  所有通道都受欠压锁定电路保护  防直通死区逻辑  过流关断全部六个通道  外部编程故障清除时间  独立的三路半桥驱动电路 