G2061Q 是一组高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯 片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可 以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2061Q 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通 的死区逻辑。G2061Q 的浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V

产品简介：NSG0360是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具 有6个通道，最高工作电压可达30V。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。NSG0360为PMOS 和NMOS输出10V 门电源电压，为 了简化PCB设计，NSG0360中集成了一个5V/40mA 的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑。dv/dt 耐受能力可达±50 V/

1 产品特性  CMOS 施密特触发输入  输入输出同相位  兼容 3.3 V 输入逻辑  输出拉/灌电流能力：2A/2A  工作范围：5V~25V  高电容负载驱动能力： – 在 1nF 负载时，开关时间< 100ns  宽温度范围：-40℃~125℃  欠压锁定 – 欠压锁定正向阈值 4.0V – 欠压锁定负向阈值 3.9V  芯片开通/关断延时特性 – Ton/Toff =

自举工作的浮动通道  最高工作电压为 700 V  兼容 3.3 V 输入逻辑  dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec  Vs 负压耐受能力达-9V  栅极驱动电压：10 V 到 20V  集成先进的输入滤波功能  所有传输通道输入边沿触发  所有通道都受欠压锁定电路保护  防直通死区逻辑  过流关断全部六个通道  外部编程故障清除时间  独立的三路半桥驱动电路 

G2022 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯 片。G2022 采 用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯 片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防 直通的死区逻辑。G2022 其浮动通道可用于驱动高压 侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V。G2022 采用 SOIC8 封装，

NSG2101 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2101 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。NSG2101 其浮动通 道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道 最高工作电压可达 700V。NSG2101 采用 SOIC8

NSG2103 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。NSG2103 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。NSG2103 其浮动通 道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道 最高工作电压可达 700V。NSG2103 采用 SOIC8 封装， 可以在-40℃至 125℃

NSG0462U是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具 有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。NSG0462U为PMOS 和NMOS输出10V 门电源电压， 为 了 简 化 PCB 设 计 ， NSG0462U 中 集 成 了 一 个 5V/40mA 的LDO，用于为MCU或其他芯片供电

用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯 片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防 直通的死区逻辑。G2020 其浮动通道可用于驱动高压 侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V。– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/140ns。兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑。dV

自举工作的浮动通道  最高工作电压为 700 V  兼容 3.3 V 输入逻辑  dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec  Vs 负压耐受能力达-9V  栅极驱动电压：10 V 到 20V  集成先进的输入滤波功能  所有传输通道输入边沿触发  所有通道都受欠压锁定电路保护  防直通死区逻辑  过流关断全部六个通道  外部编程故障清除时间  独立的三路半桥驱动电路 