工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +150℃。针对超低正向压降而优化的设备，可最大限度地提高电源应用的效率。最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V。最大平均正向整流输出电流（IF）：30A。每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W。峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A。最大瞬时正向压降（VF）：0.52V。最大直流反向电流（IR）：8uA。型号：SBT30100VFCT

编辑-Z许多大功率应用需要具有电绝缘性和优良热性能的电子元件，并且必须易于组装。对于这些应用，ASEMI快恢复二极管型号大全的内绝缘TO-220封装和内绝缘TO-247/3P封装是更佳的选择。优化的芯片焊接和封装技术使 TO-220 和 TO-247/3P 从 PN 结到散热器能提供更低的热阻，最终使二极管在大功率应用中能够以更低的温度工作，并表现稳定可靠。快恢复二极管型号大全之TO220和TO-

编辑-ZKBP310参数：最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V最大RMS桥输入电压（VRMS）：700V最大直流阻断电压（VDC）：1000V最大平均正向整流TA=50℃时的输出电流（IF(AV)）：3A峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A每个元件的典型热阻（ReJA）：10℃/W每个元件的典型结电容（Cj ）：25pF工作结点和储存温度范围（TJ,TSTG）：-55 to + 150℃最

整流桥2W10，DB107S和KBP307的封装是不一样的，大家在选型的时候要注意，还有这三个型号的反向耐压都是一千伏，但是额定电流不一样，从1安到3安，其他的参数就比较接近了，大家在选型的时候要注意一点。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V。最大平均正向整流输出电流（IF）：2A。最大平均正向整流输出电流（IF）：1A。最大平均正向整流输出电

编辑-Z1N5408在DO-27封装里采用的1个芯片，其尺寸都是110MIL，是一款小电流、直插整流二极管。1N5408的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N5408采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。1N5408的电性参数是：正向电流(Io)为3A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.0V，其中有2条引线。1N5408参

编辑-ZPL3376C在SOP-7封装里有7个引脚，分别是FB、CS、VDD、E、C、C、GEN，是一款贴片电源管理芯片。PL3376C的VDD电压（VDD）为-0.3到VDDclamp V，启动电流（Idd_st）为5uA，其存储温度（Tsto）为-55~+150摄氏度。PL3376C的电性参数是：CS输入为-0.3到5V，FB输入为-0.3到5V，静态电流（Idd_static）为0.6mA，

编辑-Z快恢复二极管（简称FRD）是一种开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管。主要用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。那么ASEMI快恢复二极管型号大全有哪些快恢复常见封装型号呢？快恢复二极管一般5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑封，20A以上大功率快恢复二极管采用TO-3P塑封顶部带金属散热片，5A以下快恢复二极管采用

编辑-ZASEMI二极管A7参数：型号：A7二极管最大循环峰值反向电压（VRRM）：1000V最大有效值电压（VRMS）：700V最大直流阻断电压（VDC）：1000V最大平均正向整流电流（I(AV)）：1A峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A最大正向电压（VF）：1.1V最大直流反向电流（IR）：5uA典型结电容（CJ ）：10pF典型热阻（R JA）：30℃/W工作温度范围（TJ）：-55 t

编辑-ZASEMI超快恢复二极管ES1J参数：型号：ES1J峰值重复反向电压（VRRM）：600VRMS反向电压（VRMS）：420V平均整流正向电流（IF）：1A非重复峰值浪涌电流（IFSM）：30A最大瞬时正向电压（VF）：1.7V最大瞬时反向电流（IR）：5uA最大反向恢复时间（trr）：35NS典型结电容（CJ）：10pF最大热阻，结到外壳（RθJC）：35℃/W工作结温和存储温度（TJ,

AO3401采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。接头和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ。二极管反向恢复时间（trr）：20.2ns。二极管正向电压（VSD）：0.75V。漏极-源极电压（VDS）：30V。输入电容（Ciss）：954pF。脉冲漏极电流（IDM）：30A。栅源电压（