平均增益，最大增益，极化效率是怎么回事？左右旋分量，轴比，相角是什么东西？测试距离与精度到底是什么关系？吞吐量和TRPTIS和测试距离，通路损耗，有什么对应关系？多探头，单探头，平面近场，球面近场和紧缩场应该怎么选？带着这些天线研发小伙伴的疑问，我们安排了一次技术专访，专访的对象是天津飞图科技总经理任祥顺。任总从事射频自动化工作已超过20年，是国内首屈一指的天线测试专家之一。以下为根据录音整理的文

当在信号发生器的输出端口出现反向信号时，无论是来自不匹配负载的反射功率，还是来自外部信号源的串扰，PLL鉴相器都会做出响应。然后校准LO端功率，此时LO输出功率一定要大，LO功率过小的话，无法驱动混频器正常工作（比如得到不正常的变频损耗），可能得到不正确的ip3测量结果，这里用+15dBm@5.701G的LO重复多次功率校准。IIP3和OIP3都可以评估器件的非线性，混频器中IP3的计算方式可以看

天线在实际工作时，除了辐射信号，由于自身的原因会在其端口存在驻波，而相控阵天线的天线单元间还存在互耦效应，使得天线的驻波增大，会对发射机功放组件造成一定损坏。因此在设计相控阵天线时，必须考虑此驻波及其影响。针对相控阵天线有源驻波测试的需求，提出利用多通道相参信号源模拟相控阵实际扫描状态，从而进行相控阵辐射状态下的有源驻波测试。

本文围绕高分辨率对地微波成像雷达对天线高效率、低剖面和轻量化的迫切需求 , 分析研究了有源阵列天线的特点、现状、趋势和瓶颈技术 , 针对对集成电路后摩尔时代的发展预测 , 提出了天线阵列微系统概念、内涵和若干前沿科学技术问题 , 分析讨论了天线阵列微系统所涉及的微纳尺度下多物理场耦合模型、微波半导体集成电路、混合异构集成、封装及功能材料等关键技术及其解决途径 , 并对天线阵列微系统在下一代微波成像

本文共计六部分1.前 言——讨论为啥要做低噪放2.基本概念——认识什么是低噪放3.通识技术——讨论常见的设计方法4.流行技术——浅析低噪放常见的研究动态5.工程技术——演示基于仿真工具演示综合方法6.结 束 语——工程文件使用小结以及全文小结（全文阅读大概需15分钟，如果您能静下心来用电脑阅读30分钟以上，且能参考本文去设计低噪声放大器了，这将是我逐字地码这篇文章最大的荣幸。不求倾盖如故，但求一起

《射频微波芯片设计》专栏适用于具备一定微波基础知识的高校学生、在职射频工程师、高校研究所研究人员，通过本系列文章掌握射频到毫米波的芯片设计流程，设计方法，设计要点以及最新的射频 毫米波前端芯片工程实现技术。本文共分为四个部分：前言——讨论射频知识体系架构——从系统视角浅析射频基础；射频器件基础——从基础元器件角度来丰富射频概念；芯片设计环境搭建——怎么快速搭建RFIC/MMIC设计环境。(全文阅读

与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。通常指插入插座的组件。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR

在前面几期我们聊到了常见的射频基础概念，也基于几个实际例子给大家演示了射频电路的设计方法，学习了如何设计滤波器、耦合器、天线、低噪声放大器等等，如下所示（大家有时间的话，可以链接过去复习下，或许学习的过程是痛苦的，但希望这几篇博文可以是苦寒中的梅花清香，让大家有所获）

在第一部分中未应用锥削，且从图中可以看出第一旁瓣为–13 dBc。锥削提供了一种减少天线旁瓣的方法，但会降低天线增益和主瓣波束宽度。在简要介绍锥削之后，我们会详细说明与天线增益相关的几个要点。

摘要：随着电子系统通信速率的不断提升，BGA封装与PCB互连区域的信号完整性问题越来越突出。