我们来聊一聊USB接口。由于USB-IF标准制定命名的混乱，大多数人都搞不清楚USB的各种版本命名，这里我们就好好捋一捋。。。

一直想给大家讲讲ESD的理论，很经典。但是由于理论性太强，任何理论都是一环套一环的，如果你不会画鸡蛋，注定了你就不会画大卫。先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC

简介Hexagon Digital Signal Processor (DSP) ，作为高通研发的世界一流处理器，集成了CPU和DSP功能，能支持移动平台多媒体和modem功能的深度嵌入处理。拥有高级的可变指令长度、超长指令字、支持硬件多线程机制的处理器架构，Hexagon架构和核心家族给高通带来了modem和多媒体应用的性能和功耗优势，是高通骁龙处理器的关键组件。几种典型的处理器比较发展历史20

本文介绍并比较了CPU架构超标量superscalar和超长指令自VLIW(Verylonginstructionword)。乱序执行(In-order & out-of-order execution)在各单元不按规定顺序执行完指令后还必须由相应电路再将运算结果重新按原来程序指定的指令顺序排列后才能返回程序。这种将各条指令不按顺序拆散后执行的运行方式就叫乱序执行（也有叫错序执行）技术。这

晶振简单说明1公称频率及容许误差(NominalFrequencyandTolerance)在正确的振荡线路匹配下,从振荡线路输出的频率,称之为“公称频率(nominalfrequency)”.频率单位为MHz或KHz. 实际的批量生产及振荡线路应用上,产品在室温环境(25°)中都会有一些相对于中心频率的频率散布误差.这类型的频率容许误差的最大散布值,一般是以ppm(partspermillion

通常ATE测试工程师是根据datasheet的电气特性表定义测试level的min/nom/max. 但是这样定义有一下问题：- 电气特性表声明的工作电压范围是指一定温度范围下的，ATE测试一般是在个别温度下，如果测试温度不是worst case，即使DUT可以在datasheet 声明的min/nom/max条件下测试pass，在应用时的极端温度条件下依然无法工作；- DUT随使用会有aging

（无源晶振并联一个1MΩ电阻电路图）问题描述：在一些方案中，晶振并联1MΩ电阻时，程序运行正常，而在没有1MΩ电阻的情况下，程序运行有滞后及无法运行现象发生。原因分析：在无源晶振应用方案中，两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。因此，当发生程序启动慢或不运行时，建议给晶振并联1MΩ的电阻。这个1MΩ电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益,

中文全称：激励功率，又名激励电平、驱动电平英文全称：Drive level (Level of drive)首先说明的是激励功率一般是针对无源晶振而言。激励功率一般以微瓦（Micro Watt）为单位。激励功率是无源晶振（石英晶体谐振器）的负载条件之一，指的是对施加在石英晶片上的电流的规定参数指标，代表驱动晶振（振荡电路）所需的功率。输入激励功率的大小直接影响着晶振本身的性能，所以电路设计者一定要

晶振负性阻抗英文名称：Negative Resistance英文简称： – R负性阻抗是指振荡电路为了提高晶振起振能力而通过设计途径来增加的反向补偿参数指标。特别提醒：振荡电路上必需提供足够的多的补偿值来补偿晶振振动时的机械能损失。负性阻抗不是晶振的内置参数， 而是振荡电路的一项重要参数。振荡电路负性阻抗的要求：若要获得稳定的振荡电路，振荡IC的负性阻抗（-R）至少为晶振的5倍以上，即绝对值|-R

晶诺威科技针对晶振不起振的原因作了如下归纳总结：1、芯片不良或与晶振不兼容建议更换正品芯片，联系芯片方案供应商获取所需晶振各项电气参数。2、晶振选型错误晶振的重要参数有：频率精度、负载电容、电阻、工作温度等。假如芯片需要负载为12PF的26MHZ晶振，如果选用20PF的晶振，可能会导致晶振不良现象。建议更换符合要求的晶振。3、晶振精度超差请依据电路要求选择晶振频率精度。4、外接电容与晶振负载电容不