在进行机械设计的时候，很多厂家对我们开放了外购件的模型，方便我们进行设计选购，但是尽管如此，我们在使用的时候还是很麻烦，我目前使用的是Part data manager来管理这些厂家的模型，使用方法非常简单。就可以输出这个零件的宏文件了，也就是solidworks的可执行文件，然后打开solidworks执行这个宏文件，就可以得到我们设计所需外购件的三维模型了。这些模型库可以到官网去下载，比如米思

如图所示为LDO的基本原理，它通过一个误差放大器比较输出电压和基准电压，来调整MOS管的导通压降，这就是说VIN到VOUT之间的压降全部落在了这颗MOS管上，由于电流是不变的，所以LDO的效率可以很容易算出来，是Vout/Vin，举个例子，输入电压是5V，输出电压是1V，它的效率就是20%，那它80%的功率都会用于MOS管的发热，我们可以随便看一个LDO的器件手册，如图可以看到，三个不同封装的芯片

可以得到R1的取值312.5kohm，通过这个取值我们选择常用的电阻316k（此处应该尽量向上取值，这是因为，输出电压略高于设计值是合理的，它会在走线上损失掉一些）。注意我们在此处选择电阻的时候都应该选择精度为1%的电阻。LDO的反馈引脚需要两个电阻分压，如何取这两个电阻的取值。首先，芯片手册中会说明反馈脚有一个静态电流，例如SGM2036需要满足的静态电流就是5uA。而FB引脚的电压的典型值为0

挑选了一个有使能引脚的芯片，看它的手册上描述，使能引脚只要和IN引脚相连就可以，除此之外我们还能通过使能引脚控制上电的时序，比如做一个RC延时。，这就完成了延时的目的。关于RC延时电路我们后面再讨论。

如图所示误差放大器有两个正端，一个正端由一个2uA的电流源充电，外部接一个缓启动的电容，这个正端就是SS引脚（所谓的缓启动引脚），另一个接参考电压0.8V。当SS引脚的电位上升到0.8V ，芯片启动。TPS54331使用内部电压基准或SS引脚电压这两者中的较低电压，作为误差放大器的电源的基准电压，并相应地调节输出。SS引脚接电容到地实现缓启动。内部上拉电流源2uA，用于为外部缓启动电容充电。SS引

如图我插入了两个负片层（正片层就是信号层，走线就是用于连接，负片层走线则是用于分割，负片经常用于GND层和电源层）注意电源层要比地层多内收10mil左右（用于满足20H原则）。在设计菜单下找到层叠管理器。我们可以在第一层下面插入层。

（需要再点击原本的焊盘），但是需要把第一个焊盘删掉一个，因为特殊粘贴的时候额外多生成了一个焊盘。我们绘制封装需要先放置一个焊盘，如果焊盘位置太偏可以使用快捷键V+F可以快速把图中的元素拉到中间。当然，除了自己绘制，如果画的封装是一个标准的封装，那我们也可以使用向导来绘制。封装包括焊盘，丝印，管脚序号，阻焊和1脚标识符。在绘制这么多引脚的IC的时候有一个小技巧。调整对象数量和阵列的间距，点击确定。按

大电容的作用：当电机工作抢电（5V可能下降到4V）的时候，储能的电容放电，来维持电压的稳定。该项目是立创训练营项目，这些是我个人学习的记录，记得比较潦草。这里的3V3是由开发板直接提供（开发板内包含了降压电路）A,B是用来测速的，接到开发板的GPIO引脚上就好了。这个保护二极管是为了在电源接反的时候保护电脑等设备。小电容滤除高频率，大电容滤除低频信号。BI和FI需要开发板的PWM引脚。斜杠的含义是

输入元器件位号可以跳转到元器件所在位置，在多页原理图的设计中方便查找。与之相对应的，有查找功能，快捷键是ctrl+f，通常用于查找网络标签。

在DDR的PCB设计中，T点拓扑和菊花链拓扑是两种常见的布线结构。T点拓扑适用于多负载场景，通过中心点对称分支到多个内存颗粒，要求分支走线长度和阻抗严格匹配，以优化信号完整性和时序一致性。然而，这种结构在高频下可能因容性负载累积而影响信号边沿速率。菊花链拓扑则是一种串联型布线方式，适合单Rank或低负载场景，具有简化布线、低延时和空间节省的优势。在两片DDR的T点设计中，需先进行扇孔和地址线架设，