半导体光学放大器（SOA）或行波光放大器通常是是具有抗反射涂层刻面的法布里-珀罗激光腔。耦合到腔一侧的光在单次通过该器件时被放大。Kobayashi和Kimura于1984年首次提出了这种简单的实施方案及其应用。从那时起，光纤通信行业的持续增长推动了SOA的研究。这项研究还催生了一些新的应用。不同类型光放大器的市场应用主要取决于增益介质中的激发态寿命。掺铒光纤放大器（EDFA）具有几毫秒量级的较长

在处理端面时需要注意两个问题：首先，芯片面和耦合器面之间应有适当的间距，以保护器件结构，并减少光在限制不足的间距内传播时的功率消失，通常间距在几微米到几十微米，并可使用折光率匹配油进行更精确的折射率控制。此外，由于边耦合器的错位公差与光纤阵列的制造公差相当，因此边耦合仅适用于单通道封装，当需要连接多根光纤时，它非常昂贵和耗时，一些研究小组和公司还致力于开发多通道边耦合，因为它具有潜在的高耦合效率。

在本章中，介绍了用于检测SOA样品的实验装置。详细介绍了用于估计器件增益和耦合效率、确认单模和评估电触点完整性的初步诊断测量，这些测量是为收集数据中有意义的特征。本章展示了实验研究的亮点。首先，研究了偏置电流和输出光功率和电压对应关系。其次，测试了单段混合和非混合SOA的ASE光谱和光谱增益，证明了QWI工艺的有效性。最后，对双段SOA，进行了增益和ASE测试，获得了更高的光功率和更宽的光谱。

4.边耦合器在垂直方向上的结构4.1. 多个上波导的边耦合器典型的硅光子集成电路基于SOI平台，其由厚的硅衬底、BOX层（用于隔离的埋入式二氧化硅）、光路层和包层（用于自下而上保护的顶部二氧化硅）组成。可以改变BOX层和包层的垂直尺寸，以提高器件性能。对于光纤到芯片边耦合器的垂直结构设计，主要是为了在垂直方向上扩大有效模式面积，以实现光纤和耦合器之间的高模式匹配。图10显示了一种获得大有效模式面积

TC=25℃ 0.5 2 dB 出光角 θR 26 ° 发散角（竖直） θt --- --- 30 ° 发散角（水平） θp --- --- 16 ° AR 反射率 RANG 0.005 % HR 反射率 RNOR 5 % 热敏电阻阻值 Rtherm T=25℃ 9.5 10 10.5 KΩ 热敏电阻电流 Itherm --- --- --- 5 mA 工作温度 TC I=Iop 25 40 °C

摘要：硅光子学在过去几十年间吸引了越来越多的关注，由于其具有诸多优点，如极低的成本、硅的高折射率带来的高集成密度，以及与现有半导体制造工艺的兼容性，被认为是未来日常应用中的一项充满前景的关键技术。在硅光子集成电路中，光互连是一个重要的问题，而在数据中心和光传输系统等应用场景中，光纤到芯片的光互连至关重要。光纤到芯片的光学耦合主要分为两大类：面外耦合（off-plane coupling）和面内耦合