如果想让I2C输出1或者高电平，只需要让N-MOS管断开，SDA就会上拉到VDD，输出高电平。如果想让I2C输出1或者高电平，只需要让N-MOS管闭合，SDA就会下接入VSS，输出低电平。在I2C复用GPIO的时候，使用开漏模式的时候，N-MOS管默认处于断开状态，它是一种串行、同步、半双工、两线制的通信总线，一根总线上可以挂多个设备。但是开漏模式下面，外部有电阻，防止可以外部的VDD和内部的GE

官方并没有披露，推测是在控制地址总线的时候他的读写方向不一致，就把读写两个不同的方向看成两个不同的寄存器了。在参考手册内部有USART内部的图，但是过于复杂，先看简化的图，搞懂基本原理。这个数据寄存器有两个，一个是TDR一个是RDR那他们为什么指向同一块物理地址？要等TXE决定了能不能把数据是否为空，TC决定了数据是否发完。CPU是怎么控制USART的？——控制USART内部的寄存器。万一发送移位

当子进程的g_val被修改的时候，操作系统会第一时间知道，然后会在物理内存处增加一个内存空间存放子进程修改的值，把修改后g_val的值放到新的物理内存空间，但是他们的虚拟地址都是一样的——因此平常写代码&，访问的是虚拟地址。因为str指向的内容是放在了字符常量区的，当运行的时候，字符常量区的虚拟地址映射到物理内存的时候，由于str不能被修改，会发送权限拦截。进程挂起的时候，OS会查找页表对应的地址

因为会有内存不够用的情况，当内存的进程过多，不够用了，操作系统就会先检查阻塞状态的进程看看会不会先执行，先不执行的会把相应的代码和数据。释放掉的PCB，操作系统会可能会提前识别他是否可能会重复利用，那么OS就会复用废弃的PCB，减少释放内存的操作，这样就有了。阻塞状态的进程因为内存不够的原因OS把他放到磁盘的swap交换区，这个时候这个进程的状态就是阻塞挂起。就绪状态的进程因为内存不够的原因OS把

但是从不同角度如果一段代码由父子进程共享，其中一方去修改的话，那么OS会在底层拷贝一份，让目标进程修改这个拷贝。在侠义上理解：操作系统包括内核（进程管理，内存管理，文件件管理，驱动管理）和其他程序（例如函数库，shell程序等等）。服务器 → 网络 → 你的网卡 → 内存 → CPU → 内存 → 显示器。当第二行代码执行完，会有变成两个进程，一个父进程一个子进程，都会执行下面的代码。关于fope

  这篇博客比较适合那些零基础的刚学习单片机的。

硬件层某行被拉低（P44/P42/P35/P34 = 0）某列被拉低（P30~P33 变 0）CPU 通过P3 & 0x0F读到这个 0软件层（4 次扫描，把 16 个按键状态拼成 16 位整数Key_New取反后，根据哪一位为 1 判断是哪个按键返回对应的键值（4~19）主循环层Key_Proc每 20ms 调用一次，更新ucKey_ValSeg_Proc每 200ms 把ucKey_Val格式

定时器0的中断服务函数这个数字是Keil C51编译器规定的固定编号对应你表格里的"查询次序"（0是最先查询，1是第二）CPU硬件检测到定时器0溢出 → 自动跳去执行这个函数。

经过 15 级分频，正好得到1 Hz（每秒一次）BCD码用 4 位二进制表示 1 位十进制数43 的 BCD 码 =0100 0011十进制 434 → 01003 → 0011合并 → 0100 0011 = 0x43。

DS18B20？DS18B20 就是一个数字温度传感器测量范围：-55℃ ~ +125℃精度：±0.5℃（-10℃ ~ +85℃）分辨率：9~12 位可调（默认12位）通信方式：1-Wire 单总线每个芯片有唯一 64 位 ID，可以多个挂在同一总线上。