2 ， MOSFET的栅极因为无法释放电荷所以容易被ESD静电击穿，所以MOS管的栅极和源极之间要并联一个电阻。1 ， MOSFET的输入阻抗特别高，因为栅极与P沟道之间有二氧化硅绝缘层。2，限制对GS极电容的充电电流，防止驱动电流过大对驱动芯片的损坏。1 ， 快速释放GS之间的结电容的电荷使MOS管快速关断。MOS管的米勒平台指的是栅极电压会在一段时间内不发生改变。米勒平台的时间越长，MOS的导

电流方向相同，幅值相同，极性相同的信号为共模电流方向相反，幅值相同，记性不同的信号为差模信号根据共模信号和差模信号的定义，我们可以知道电源的输入端是一个差模信号，所以我们需要使用共模电感抑制共模信号t=N7T8http://【共模电感是如何抑制共模信号的】https://www.bilibili.com/video/BV12N4y1A7Jp?

国家为了保护人民的安全要求，电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全的安全电容器。滤除雷电冲击波，以及插拔插座的高频噪声。火线与地之间，以及零线与地之间。X电容位于火线和零线之间。

如果是开关管的振铃，那么桥臂的SW处产生的振铃会窜入驱动电路，造成的结果就是驱动电路和上桥臂下桥臂之间的SW节点都会有振铃现象。如果是驱动电路的振铃，那么MCU的输出引脚还是正常的PWM，但是到了MOS管两侧就变成带有振铃的PWM波形了。开关振铃产生的原因是MOS管上面的寄生电感当开关管打开时为了保持电流不变感应出的电压会对电源和地产生冲击。开关管的驱动线上的寄生电容和寄生电感导致的振铃为驱动电路

嵌入式C语言中的静态函数

问题：STM32硬件I2C驱动W25Q128时，指令的帧数据格式并不是通过和直接读写数据，而是通过。

*接收数据缓冲区，最多接受64个字节*//*每一次不定长帧的长度*//*ReceiveStatus指示数据读取的状态，1表明读取过一次数据，0表明没有读取过数据*//*一次DMA传输转运的最大字节数*/DMA1_BufferSize要大于一帧传输的数据量，不然会造成后续的数据丢失。

电脑无法搜索到蓝牙设备，但是手机可以搜索到蓝牙设备，我出现这个问题是电脑默认设置下只能搜索到常用的连接配件，而高级设置可以搜索到全部的蓝牙设备。设置方法Win11系统，设置->蓝牙和其他设备->设备->设备设置->蓝牙设备设置->高级。

半桥驱动电路中，下桥臂的源极直接接地，导通时栅极电压只需要达到MOS管导通d电压Vgs，但是对于上桥臂来说，上桥臂的源极电压会随着上桥臂的导通而抬升到VDD，对应想要导通时的栅极电压Vgs要到达Vgs+VDD。1，所有自举元件都位于栅极驱动器 IC 附近，可更大限度 地减小寄生电感的影响并减小自举电路的高峰值电流路径。栅极电压实现这个抬升的方法：使用电容两侧电压不能突变的特性，这个电容就是自举电容