详细介绍LTE载波聚合原理

数字LDO因逻辑可综合性和自动化布局布线特性，适用于多核微处理器和SoC的细粒度动态电压频率调节（DVFS），降低设计复杂度。输入电压因产品类型而异：数据中心服务器可高达48V，台式机使用电源单元的12V输出，手持设备则直接使用电池电压（如智能手机的3.7V锂聚合物电池）。嵌入式多芯片互连桥（EMIB，图22）局部连接芯片，减少电源路径限制，但需优化横向供电。图10对比单级与双级IVR方案，后者通

图1展示了ASIC-HBM封装模型及其用于电源分配网络（PDN）阻抗调优的各类组件（体去耦电容、局部去耦电容、封装去耦电容、嵌入式去耦电容、片上电容）。图2显示了各去耦电容的调谐范围。目前，硅interposer上主要采用沟槽电容和金属-绝缘体-金属（MIM）电容作为嵌入式去耦电容。为探究TSV-Cap对信号完整性的影响，图5对比了含与不含TSV-Cap的线路射频性能（插入损耗IL与回波损耗RL）

近年来，得益于信息技术的发展，高性能计算/人工智能（HPC/AI）产业增长迅速。当前信息技术需高速处理大数据，并借助人工智能及时提供服务。高性能计算系统的需求正不断增长，此类系统通常采用基于中介层的2.5D封装技术，集成在大型系统级芯片（SoC）上；然而，大型SoC芯片的尺寸要求带来了诸多技术挑战，例如制程良率低、大型芯片组装过程中易出现故障等。如图1所示，该方案将大型芯片（die）分割为多个小型

近年来，高性能计算（HPC）与自动驾驶（AD）领域呈现前所未有的增长态势，传统芯片设计策略已逐渐力不从心，并面临根本性的制造瓶颈。尺寸更小的硅芯粒（chiplets）通过单封装集成，其总硅面积远超单块掩模版尺寸，该技术正日益普及，且在有效缓解传统设计面临的良率与尺寸挑战方面展现出巨大潜力。尽管芯粒技术解决了部分问题，但也带来了新的挑战：芯粒间互操作性、更高的互连功耗与延迟，以及如何实现满足带宽与可

受摩尔定律放缓以及人工智能（AI）、云计算和大数据分析应用中对高性能计算（HPC）强烈需求的推动，芯粒集成在半导体行业受到广泛关注。业界首先采用了2.5D硅 interposer 技术（如CoWoS），随后开发出有机RDL interposer 技术（即CoWoS-R）。有机RDL interposer 可实现低电阻电容（RC）寄生互连，具备良好的信号隔离性，且作为有效应力缓冲层，能保护C4凸点连

近年来，对人工智能（AI）、物联网（IoT）、超五代（B5G）及六代（6G）移动网络，乃至自动驾驶应用的需求大幅增长。在为高带宽需求设计多芯片时，FOCoS等先进封装技术是高性能计算产品的理想选择。最近推出的通信协议UCIe是一种芯片到芯片互连技术，旨在解决现有芯片互连技术的瓶颈，提高芯片间的通信效率和速度。UCIe定义了UCIe标准版（UCIe-S）和UCIe高级版（UCIe-A）两种封装，其中

随着集成电路设计的不断发展，在追求性能方面的提升和面积减小之外，芯片的低功耗设计也已成为当下物理设计的主要标准之一。下图为IBM技术研讨会给出的典型芯片中功耗的近似分布，其中时钟电路的功耗比例最高，约占总功耗的50%。随着晶体管数量的增加和时钟频率的提高，电路的功耗特别是时钟网络的功耗也随着变大，所以，在时钟树综合阶段有必要对时钟网络进行功耗分析与优化。CMOS 电路功耗来源CMOS 电路的功耗主

本节建立了GSG结构TSV 3D模型的传输线等效电路，通过修改等效电路中相应元件的参数，可反映TSV模型参数的变化。下面将对堆叠芯片结构的互连进行了仿真，还通过得到的S参数进行了时域仿真，并建立了TSV的传输线等效电路，以验证通孔几何尺寸变化的影响。图8c展示了TSV间距=30μm、氧化层厚度=0.2μm时，不同TSV直径对应的S21。上面对包含多条TSV-RDL-凸点路径的3D堆叠芯片互连进行了

在半导体芯片设计中，Corner分析是评估芯片在不同工艺、电压和温度条件下的性能和稳定性的重要手段。以下是不同corner下以及各自对应在不同温度下的芯片电源完整性变化情况的分析：首先，corner通常指的是工艺角，也就是工艺制造过程中可能出现的偏差，比如温度、电压、工艺参数的变化。不同的corner组合，比如FF（Fast-Fast）、SS（Slow-Slow）、TT（Typical-Typic