每次下载后，如果代码出现问题，都需要在线调试，而你的代码为了不忘记，默认就是开启读保护功能的，所以每次下载后，如果发现问题，你可能要找一个工具，如 J-Flash 或者上面的软件负责关闭读保护，让我们的开发效率降低不少。在以前的笔记里面，有介绍如何使代码运行在 RAM 中，既然读保护保护的是 FLASH 区，RAM 并不受影响，那么我们就可以将我们解除的代码加载到 RAM 中运行，如此就可以通过

这里有一个比较大的坑：通常的Boost电源，在电源不使能时，输入和输出直接通过电感和二极管相连了，输出电压大约为输入电压减去二极管压降，也就是说只要输入电源出现，正电源就有输出了，而此时负电源还在缓启动中，违背负载的时序要求。市面上能够找到几款单颗芯片出正负电源的产品，经过一轮筛选，选定了ADP5071，而选定它很重要的一个原因就在于Boost电路部分有独立的开关可以断开输入，并且能很方便控制两路

热敏电阻随环境温度(T)升高，电阻值®会下降，反之，当温度(T)下降，电阻值®会上升。NTC热敏电阻的计算公式有Steinhart-Hart方程和B值法两种方法，我只熟悉了B值法。参数：温度为(R25℃)时，阻值为10kΩ，B值(25/85)为3435。温度为（R25℃）时，阻值为100kΩ，B值(25/50)为3950。版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载

这个程序很简单啊，就是SCLK先变低，然后，判断，数据的最低位是否为高电平，如果是高电平，DIN就输出1，否则输出0。然后SCLK变高，TM1640读取数据，然后把下一位数据移动到最低位，然后重复上面的步骤，一直到8位传输完毕。在以后学习中，我们可以不写驱动程序，使用别人的程序也是可以的，但是，你要有写驱动程序的能力。一共三部分，先是设置地址模式，然后设置地址，发送数据，最后设置显示亮度。，就向联

合泰单片机的内部可能会有多个ram bank ，bank0、bank1等，但是位变量的定义其要求必须定义到bank0内。根据其手册内容其他变量也尽可能定义到bank0内，这样读取速度更快。合泰单片机的位变量定义时，根据其C语言规范，需要将位变量定义到#pragma rambank0和#pragma norambank之间。原文链接：https://blog.csdn.net/sailor_shui

上面电路中的 Re 电阻为电路提供了针对温度变化的稳定性，与 Re 并联的电路中连接的电容器 Ce 为放大的交流信号提供低电抗路径，充当旁路电容。因此，晶体管的增益限制了C1和C2的最大值。每当接通电源时，上述电路中所示的电容 C1 和 C2 开始充电，当电容充满电后，电容器开始通过电路中的电感 L1 放电，从而在谐振电路中引起阻尼谐波振荡。电容分压器用于反馈，晶体管 Q1 采用共发射极配置，在上

双击下载的芯片包，就可以自动安装到KEIL MDK安装目录下，然后就可以正常使用了。安装下图1、2、3顺序点击即可下载。

因为一些原因，电脑要同时安装keil4和keil5，但因为优先级原因，51的工程也是用keil5打开，造成了很多麻烦，所以就找了个时间完成了keil4与keil5的共存问题，以下是步骤，希望可以帮助到你。然后，打开keil4的安装地址对应的文件夹，复制名为C51的文件夹到keil5的文件夹中，（笔者的keil4安装在c盘的keil文件夹中，keil5安装在Keil_v5文件夹中）打开keil5的T

上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的，首先，半导体器件内部都有结电容的，列如MOS管，MOS管导通，需要对MOS管的GS电容进行充电，只用GS电压大于阈值电压，MOS管才能导通；所以，在控制波形沿跳变时刻，一个MOS管GS电容在充电，一个MOS管GS电容在放电，这样会存在两个管子同时导通的情况，一个管子还没关断，另一个管子就开通了，从而造成VCC和GND短路。那么，如果两个管子都用PWM波控制

当AN1按下时，R6和R1分压（因为C的电压不能突变，BG 没有导通），使运放IC-1的同相输入端产生一定的电压。静态时，电容 C1充满电，运放 A1 正输入电压 U2 等于电源电压V+，所以 A1 输出高电平。调试本电路前，先用一个容量较大的电容 C 调整 RP ，使每个运放 LM324 的反相输入端电压为 4V 左右，然后在各通道能可靠触发的情况下尽量减小 C 的容量。由于运放 Ai 的输入电