成品检测衬底剥离键合工艺反射层沉积外延层制备成品检测衬底剥离键合工艺反射层沉积外延层制备PECVD生长DBR反射镜(反射率>98%)Au-Sn共晶键合(精度±1μm)激光剥离(Laser Lift-Off)蓝宝石基板去除率>99.9%，单位为安培每平方米（A/m²）或安培每平方厘米（A/cm²）。：极限性能的颠覆性技术（大功率、高可靠性需求的未来方向）：技术与性能的平衡选择（中高端场景的性价比之选

技术类型及功能IC 芯片需与封装基板或导线架完成电路联接才能实现电子讯号传递，主要连线技术有打线接合（Wire Bonding）、卷带自动接合（Automated Bonding，TAB）、覆晶接合（Flip Chip，FC）。不同技术在面积比例、重量比、厚度比、I/O 数、矩阵及环列接点间距等方面存在差异。

C4NP 技术是 IBM 开发的全新焊锡凸点制作技术，弥补现有晶圆凸点制作技术局限性，已成功应用于 300mm 无铅焊锡凸点晶圆制造，节距 200µm 和 150µm 产品获质量认证并量产，有望扩展到 50µm 细节距微凸点，目标应用于 3D 芯片集成，促使存储器晶圆由引线键合向 C4 凸点转变。

封装材料在半导体器件中起着至关重要的作用，包括保护芯片、实现电气绝缘、散热、提供机械支撑以及防潮和防氧化等功能。主要的封装材料有陶瓷材料、固态封模材料（EMC）和液态封止材料（LE）。

英文为 Chip，别称 IC（集成电路：Integrated Circuit 的缩写）。是在半导体晶体片上制造的电子元器件的总称，集成了晶体管、电阻、电容等多种基础器件，形成一个功能完整的电路，可实现复杂计算和控制功能。英文 Integrated Circuit，IC。一种微型电子器件或部件，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等组件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体芯片或介质基片上

先进之处：集成度高、尺寸小且轻量化、性能优异（连线技术先进、热管理良好）、多功能集成、制造灵活性高、多种材料应用广泛。封装架构：包括倒装芯片技术（Flip Chip）、系统级芯片（System on Chip）、芯粒（Chiplet）、多芯片模组（Multi Chip Module）、叠层技术（Package On Package & Package In Package）、系统级封装（Syste

在现代半导体制造领域，光刻与刻蚀工艺犹如精密的雕刻大师，将复杂的电路设计精准地转移到硅片上，为芯片的诞生奠定了基石。这两项工艺的不断演进，是推动半导体技术朝着更小尺寸、更高性能和更强大功能发展的关键驱动力。光刻工艺负责在硅片表面构建微小的图形结构，而刻蚀工艺则将这些图形转化为实际的电路元件，二者相辅相成，共同塑造了半导体世界的微观奇迹。光刻工艺流程包含多个精细步骤，每个步骤都对最终的光刻质量起着至

依据 IC 芯片数目、封装材料、与电路板接合方式、引脚分布型态、封装形貌与内部结构等因素对 IC 元件进行分类命名。引脚插入型（PTH）：引脚插入电路板的孔中，通过焊锡固定，如传统的 DIP 封装。表面黏着型（SMT）：先将接脚黏贴于电路板上后再以焊接固定，包括海鸥翅型、钩型、J 型、直柄型等引脚类型。舍弃第一层级封装而直接将 IC 芯片黏结到基板上的裸晶型（Bare Chip）封装（也称为 DC