MRAM、ReRAM、FRAM等新一代非易失存储，兼具高速读写、断电不掉数据、寿命超长的优势，既能替代传统高速内存，又能承担大容量存储功能，打破存储与内存的边界，完美适配存算一体架构。新材料为芯片赋予全新物理能力，是制程走到极限后，芯片性能继续向上突破的“地基”，如今国内大量材料企业完成0-1技术突破，正迈入规模化放量阶段，国产替代空间广阔。硅基材料陪伴半导体走过数十年，但它的物理属性存在天然上限

终端包含传感器、工业设备、摄像头、手机、智能家居、车载终端等各类硬件，边缘节点则涵盖边缘网关、边缘服务器、本地机房等中间载体，形成“传感器—边缘计算—终端设备”的全链路本地智能体系。当前端侧AI大多是单一场景专用模型，未来多模态端侧模型将成为趋势，一台终端可同时处理图像、语音、传感数据，实现感知能力一体化，广泛应用于家居、车载、城市终端。终端设备算力、内存、功耗有限，无法运行大参数通用大模型，因此

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