MOS管的主要损耗包括导通损耗、驱动损耗和反向恢复损耗。导通损耗由导通电阻Rds(on)决定，计算公式为P=I²Rds(on)D；驱动损耗由栅极电荷Qg决定，公式为P=QgVgsfsw；反向恢复损耗由体二极管特性决定。选型时需重点关注VDS耐压、Rds(on)、Qg和Coss参数，其中Coss影响软开关效果，较大的输出电容会增大损耗。合理选择这些参数对降低损耗、提高效率至关重要。

本测试规范包括二次电源模块的测试项目、测 试目的、接线图、测试方法。