但对于混合电路，包含高速数字电路与射频电路，射频电路比数字电路要重要的多，必须对射频信号做50欧姆阻抗控制，同时射频走线不可能太细，否则会引起较大的损耗，所以在混合电路中，本人往往舍弃数字电路的阻抗控制。Allegro中默认的线宽线距都是5mil，在CPU引脚比较密集的时候，这样的规则是无法满足的，这就需要在CPU或DDR芯片周围设定允许小间距，小线宽的区域规则，如下图。走完地址线和数据后，务必将

电源电路电源电路设计中，功能性设计主要考虑温升和纹波大小。温升大小由结构散热和效率决定；输出纹波除了采用输出滤波外，输出滤波电容的选取也很关键：大电容一般采用低ESR电容，小电容采用0.1UF和1000pF共用。电源电路设计中，电磁兼容设计是关键设计。主要涉及的电磁兼容设计有：传导发射和浪涌。接口电路接口电路多种多样，一般需电缆引出的接口电路需要较完备的电磁兼容设计，如CAN总线、RS485总线；

在时钟信号驱动多个寄存器时，由于线网的传输延时，到达不同寄存器时钟端口的时钟信号存在有相位差，无法保证所有的时钟沿对齐，这种差异称为时钟偏移。在数字电路系统中，除时钟源(晶振)提供提供的主时钟以外，还存在多种不同的时钟概念，例如，衍生时钟、随路时钟、虚拟时钟、内部逻辑生成时钟、门控时钟、行波时钟、双边沿时钟和多路复用时钟等。在默认情况下，驱动多寄存器的时钟在逻辑综合时，综合工具通常不会在时钟的连线

例如在图7所示的8位系统中，为使第3个从机能够获得数据，需要24个时钟脉冲，而常规SPI模式下只需8个时钟脉冲。此模式下的时钟相位为1，表示数据在下降沿采样(由橙色虚线显示)，并且数据在时钟信号的上升沿移出(由蓝色虚线显示)。此模式下的时钟相位为1，表示数据在下降沿采样(由橙色虚线显示)，并且数据在时钟信号的上升沿移出(由蓝色虚线显示)。当使用多个从机时，主机需要为每个从机提供单独的片选信号。此模

1 什么是DDRDDR是Double Data Rate的缩写，即“双比特翻转”。DDR是一种技术，中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM，而在中国台湾以及欧美，工程师习惯用DRAM来称呼。DDR的核心要义是在一个时钟周期内，上升沿和下降沿都做一次数据采样，这样400MHz的主频可以实现800Mbps的数据传输速率。2 每一代DDR的基本区别3 关键技术解释3.1 VTTVTT为

1、DDR系统的三种电源对于电源电压，DDR SDRAM系统要求三个电源，分别为VDDQ、VTT和VREF。A、主电源VDD和VDDQ主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给内核供电。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有专门的VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压、电流是否满足要求

所以，我们可以发现，方案A/C就是基于P-MOSFET的浪涌电流抑制电路，放置的位置是电源线的正极，也就是通常所谓的“高边”。本文将要更新的方案E/F就是基于N-MOSFET的浪涌电流抑制电路，放置的位置是电源线的负极，也就是通常所谓的“低边”。综合来看，在4类浪涌电流抑制电路中，基于P-MOSFET的A/C方案，基于N-MOSFET的E/F方案，并无优劣之分，只是各自的应用场景有所差异。图5.8

消除共模干扰（1）采用屏蔽双绞线并有效接地（2）布线时远离 高压线，更不能将高压电源线和信号线捆在一起走线（3）采用 线性稳压电源或高品质的 开关电源(纹波干扰小于50mV)（4）使用差分式电路（5）在信号线或电源线中串联共模扼流圈、在地与导线之间并联电容器、组成LC滤波器进行滤波,滤去共模传导噪声。消除差模干扰：（1）前提是减小共模干扰，不然共模干扰可能转化为差模干扰（2）采用差模扼流圈。...