电容在ESD测试整改中的选用。

电路设计的每一个器件可以说是都不是没有根据的随便选型，只是可能到你手里之后，已经经过多方验证，是成型的原理图，参数不需要修改，所以关注的也少。等等，怎么我看到有些板子芯片的电源脚旁边的电容是0.1uF的或者0.01uF的，有什么讲究吗。可见当频率很低的时候是电容起作用， 而频率高到一定的时候电感的作用就不可忽视了，再高的时候电感就起主导作用了。所以记住，高频的时候电容就不是单纯的电容了。想必此时不

在图1里，Ia = Ib = Ic，芯片U1（AMS1117-5.0）输入输出电压相差12V - 5V = 7V，此时损耗功率至少 7V × 100mA = 0.7W，这就是U1烫手的原因。BUCK电路的开关电源特点：η × 输入功率 = 输出功率，η × 12V × Ix = 5V ×Iy。BUCK电路的开关电源特点：η × 输入功率 = 输出功率，η × 12V × Ix = 5V ×Iy。线

对于晶振电路，我们需要从几个方面考虑设计： 降低寄生电容的不确定性 降低温度的不确定性 减少对其他电路的干扰设计注意点：1. 晶振尽量靠近芯片，保证线路尽量短，防止线路过长导致串扰以及寄生电容。2. 晶振周围打地孔做包地处理。3. 晶振底部不要走信号线，尤其是其他高频时钟线。4. 负载电容的回流地要短。5. 走线时先经过电容再进入晶振。贴片无源晶振及有源晶振的走线方式：两脚贴片无源晶振6.封装较大

例如在图7所示的8位系统中，为使第3个从机能够获得数据，需要24个时钟脉冲，而常规SPI模式下只需8个时钟脉冲。此模式下的时钟相位为1，表示数据在下降沿采样(由橙色虚线显示)，并且数据在时钟信号的上升沿移出(由蓝色虚线显示)。此模式下的时钟相位为1，表示数据在下降沿采样(由橙色虚线显示)，并且数据在时钟信号的上升沿移出(由蓝色虚线显示)。当使用多个从机时，主机需要为每个从机提供单独的片选信号。此模

消除共模干扰（1）采用屏蔽双绞线并有效接地（2）布线时远离 高压线，更不能将高压电源线和信号线捆在一起走线（3）采用 线性稳压电源或高品质的 开关电源(纹波干扰小于50mV)（4）使用差分式电路（5）在信号线或电源线中串联共模扼流圈、在地与导线之间并联电容器、组成LC滤波器进行滤波,滤去共模传导噪声。消除差模干扰：（1）前提是减小共模干扰，不然共模干扰可能转化为差模干扰（2）采用差模扼流圈。...

1、DDR系统的三种电源对于电源电压，DDR SDRAM系统要求三个电源，分别为VDDQ、VTT和VREF。A、主电源VDD和VDDQ主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给内核供电。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有专门的VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压、电流是否满足要求

但对于混合电路，包含高速数字电路与射频电路，射频电路比数字电路要重要的多，必须对射频信号做50欧姆阻抗控制，同时射频走线不可能太细，否则会引起较大的损耗，所以在混合电路中，本人往往舍弃数字电路的阻抗控制。Allegro中默认的线宽线距都是5mil，在CPU引脚比较密集的时候，这样的规则是无法满足的，这就需要在CPU或DDR芯片周围设定允许小间距，小线宽的区域规则，如下图。走完地址线和数据后，务必将

● 使用晶体时，环路的传递函数是怎样的？● 为什么只有晶振的固有频率能振荡起来？● 为什么改变匹配电容，就能改变频偏？● 为什么晶振电路有的要串电阻，有的没有？有的要并联1M电阻，有的没有？...

1 什么是DDRDDR是Double Data Rate的缩写，即“双比特翻转”。DDR是一种技术，中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM，而在中国台湾以及欧美，工程师习惯用DRAM来称呼。DDR的核心要义是在一个时钟周期内，上升沿和下降沿都做一次数据采样，这样400MHz的主频可以实现800Mbps的数据传输速率。2 每一代DDR的基本区别3 关键技术解释3.1 VTTVTT为