芯片的电流测试是评估其工作状态的重要手段，主要分为静态电流和动态电流两类。静态电流在CMOS结构的芯片中理论上应接近零，因为逻辑电平稳定时，PMOS和NMOS不会同时导通，无法形成直流通路。然而，实际芯片由于工艺问题（如亚阈值电流、二极管反向漏电、栅氧化层漏电）会产生微小漏电，尤其是7nm以下制程更为明显。动态电流则发生在芯片工作时，由于内部寄生电容充放电导致电流增大，动态功耗与电容、电压和频率成

在实际应用中，假如芯片的引脚突然接触到高压，此时对电源的保护二极管就会导通，此时多余的电会流向VDD。而假如突然接触到负电压，那么多余的电流会流向地，这样，无论是高压还是负压，都不会有大量的电流流入芯片内部导致芯片损坏。假设设置ATE的电流为5mA，那么当电阻设置分别设置为1k和10k时，测试机会分别Force 5V和50V的电压来保持电流是5mA。，这样的高电压无疑对芯片是有损害的，有可能会打坏