小线宽工艺的工作电压可降至0.8V甚至更低（大线宽通常1.8V~5V），功耗大幅下降。：小线宽工艺不断逼近物理极限，而大线宽仍是“老将不死”的实用选择。：≥0.18μm（180nm）的工艺，如180nm、350nm。：指芯片制造中晶体管的最小特征尺寸（如28nm、180nm）。小线宽：需EUV光刻（波长13.5nm），设备成本极高。：＜0.18μm的工艺，如28nm、7nm、5nm。：要低成本、高

在芯片制造中，靠近阱边缘区域的晶体管的阈值电压、电流能力等参数相比远离阱边缘的晶体管不一样，容易出现性能异常。可能会导致差分对失调、电流镜失配等问题，导致电路性能下降。版图设计时减小WPE效应的措施：①、加dummy器件 ②、将器件上下左右远离阱2um。

小线宽工艺的工作电压可降至0.8V甚至更低（大线宽通常1.8V~5V），功耗大幅下降。：小线宽工艺不断逼近物理极限，而大线宽仍是“老将不死”的实用选择。：≥0.18μm（180nm）的工艺，如180nm、350nm。：指芯片制造中晶体管的最小特征尺寸（如28nm、180nm）。小线宽：需EUV光刻（波长13.5nm），设备成本极高。：＜0.18μm的工艺，如28nm、7nm、5nm。：要低成本、高

Cell layout是项目里的重要组成部分，同样是沟通中的一个重要节点，他需要和TOPlayout进行充分的沟通交流，整个芯片版图的完成好坏，很大程度决定在cell画的好坏，所以celllayout的工作依然是非常重要的，只有cell完成的好，才有机会做TOP layout。版图工程师能不能画TOP是能力区别的一个重要分水岭，一般layout在公司都会经历简单cell/重要cell，改版TOP，