只是简单的总结下电赛是啥，干啥以及每个类别都是干啥的，用于后面快速了解，内容是参照b站up主我是装B怪。全国大学生电子设计竞赛是教育部(各高校的顶头上司)和工业和信息化部(电子行业的顶头上司)共同发起的大学生学科竞赛之一，是面向大学生的群众性科技活动，目的在于推动高等学校促进信息与电子类学科课程体系和课程内容的改革及其课程教学和实验室建设工作(为了学生参赛学校不得不添置仪器，新建实验室)。

只是简单的总结下电赛是啥，干啥以及每个类别都是干啥的，用于后面快速了解，内容是参照b站up主我是装B怪。全国大学生电子设计竞赛是教育部(各高校的顶头上司)和工业和信息化部(电子行业的顶头上司)共同发起的大学生学科竞赛之一，是面向大学生的群众性科技活动，目的在于推动高等学校促进信息与电子类学科课程体系和课程内容的改革及其课程教学和实验室建设工作(为了学生参赛学校不得不添置仪器，新建实验室)。

低边驱动：负载一边与电源正极相连，另一端与开关相连（一直与电源保持相连），开关接地。当开关导通时，负载开始工作；开关断开，结果反之。高边驱动：负载一边与电源负极相连（一直与地保持相连），另一端与开关相连，开关接电源。当开关导通时，负载开始工作；开关断开，结果反之。相对于NMOS管来说高边驱动只有当Vgs大于开启电压时，MOS管导通，DS电位相等，同为电源电位。但是G极电位如果比电源电位还高，则不能