近年来，曼彻斯特大学在半导体器件取得了长足发展，衍生的Advanced Hall Sensors Ltd. 简称AHS公司，已经可以生产出基于 AlGaAs-InGaAs 异质结构的高灵敏度量子阱霍尔效应 (QWHE) 传感器。与常见的基于硅的霍尔传感器类似，这些基于砷化镓的传感器能够可靠地测量磁场强度（磁通密度）和方向；但量子阱霍尔传感器的检测范围更广：100 nT（地球磁场的 0.5%）到 ~

霍尔传感器磁极的磁场强度计算

利用分子束外延技术合成半导体薄膜，形成窄带隙半导体插入在两种宽带隙材料中，形成高迁移率三角形量子阱通道，一个量子阱将偏置电流的电子限制在二维电子气体，由此电子通过检测到的霍尔效应以更可控的方式使用更少的磁场散射。令人兴奋的是，与通用的霍尔传感器相比，宽（线性）工作范围下允许更大的测量灵敏度，温度系数低使得显著降低本底噪声的同时稳定保持高线性精度输出、有源元件的有效面积更小等优势。独特的量子阱结构让

量子阱霍尔传感器P2A用于电流隔离器概述

霍尔传感器磁极的磁场强度计算