EG2113S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2A

EG2131 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+

EG12521高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽4V～20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 0.8/1.2A，采用SOP8封装。EG12521是一款高性价比的双管正激高压驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电

EG2126 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了 5V 的 LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力

EG21814 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG21814 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V，静态电流约 200uA。输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MO

EG2125 是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD 控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了 250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.8/1.3A，采用 SSOP24 封装。

EG3525S芯片内置了5.1V基准电压源、100Hz～ 500KHz宽频率振荡器、软启动电路、误差放大器、PWM比较器、欠压封锁电路及功率管输出驱动电路等。EG3525S具有同步时钟功能，可以工作在主从模式，也可以与外部系统时钟信号同步，为设计提供了极大的灵活性。在上电过程中，软启动定时电容的电压由内部50uA恒流源进行充电，其电容两端的电压开始从零慢慢上升到Vref，同时PWM输出也从零慢慢增

该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/-2A/2.5A，采用SOP16封装。EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，

LY6399 支持霍尔直接驱动控制 EN 脚，实现开盖耳机自动回连、以及开盖亮灯 8S 和合盖自动激活升压，无需外加 MOS 管和三极管等输出回路控制电路，同时也可以使用 MCU控制 EN 脚从而控制 OUT 输出实现单向通信。LY6399 支持自动负载识别和自动关机、5V 常输出 2 种模式，自动关机后芯片待机电流为 4.5uA,5V 常输出模式芯片待机电流为45uA。 待机电压：2V/VBA

EG3014S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,