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EG2181 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2/2
EG2131 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+
LY6399 支持霍尔直接驱动控制 EN 脚,实现开盖耳机自动回连、以及开盖亮灯 8S 和合盖自动激活升压,无需外加 MOS 管和三极管等输出回路控制电路,同时也可以使用 MCU控制 EN 脚从而控制 OUT 输出实现单向通信。LY6399 支持自动负载识别和自动关机、5V 常输出 2 种模式,自动关机后芯片待机电流为 4.5uA,5V 常输出模式芯片待机电流为45uA。 待机电压:2V/VBA
EG2125 是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD 控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了 250K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.8/1.3A,采用 SSOP24 封装。
EG2153是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,内部集成了高压半桥驱动电路和一个振荡器,形成一款多功能,更加安全的功率驱动芯片。VDD上电低于开启电压时,输出低电平,超过开启阈值,驱动器就能稳定的频率振荡。• 输出电流能力IO+/-0.2A/0.3A。• 高端悬浮自举电源设计,耐压可达600V。• 低压输出端信号逻辑和RT端相同。• VCC和VB端电源带欠压保护。• VCC电源1
EG12521高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽4V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 0.8/1.2A,采用SOP8封装。EG12521是一款高性价比的双管正激高压驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电
MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO +0.8A/- 1.2A,采用 TSSOP20 和 QFN20 封装。EG2123A 高端的工作电压可达 260V,低端 VCC 的电源电压范围宽 7V~20V。防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个下拉和上拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率。处理电路、死区时控制电路、 欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱
EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO +0.8A/-1.2A,采用 TSSOP20
支持双路输出 单路最大 1.1A 驱动电流 TORCH1 有 3 种循环模式选择 单击 TORCH1 循环 长按开启 TORCH2 1A 充电电流 可外置 MOS 驱动更大电流 充电指示/低电提示/工作提示 单路 1.5A 输出过流保护 预设 4.2V 电池充满电压 温度保护 支持单灯、双灯应用 SOP8 封装。■产品应用: 双路输出手电筒
EG3014 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 10K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采







