本研究提出的ABC型Ru ALD工艺，通过引入NH₃额外反应气体，在310°C高温下实现了低电阻率（13.4 μΩ·cm）、大晶粒（24.5 nm）、低杂质（0.3 at%）的高质量钌薄膜沉积，为后铜互连提供了切实可行的材料方案。FS-MS模型定量分析揭示了晶粒尺寸对电阻率降低的决定性作用，为工艺优化指明了方向。在整个研究过程中，Xfilm埃利四探针方阻仪为薄膜方阻的精确测量提供了可靠数据支撑，确

因此，在电子器件的设计与生产中，必须对这一参数加以考量，以避免效率、性能和可靠性的损失。，校准测量的权重也更大。两个参数的拟合不确定度在5.2 nm薄膜上也系统性偏大，这同样源于该薄膜较低的方阻所产生的更弱的三次谐波信号。热导率为1.74 ± 0.21 W/(m·K)，高于预期值，原因可能是电极接触半径的校准偏差对较厚薄膜的影响更大，因为。提供了成熟的解决方案，可与本研究方法形成互补，共同推动薄膜