2.5D与3DIC封装技术对比：2.5D封装通过硅中介层实现芯片并排互连，适用于高性能计算等领域；3DIC则采用垂直堆叠技术，适合高集成度应用。主流2.5D方案包括英特尔EMIB（无TSV）、台积电CoWoS和三星I-Cube；3DIC代表技术有台积电SoIC（晶圆级键合）、英特尔Foveros（有源中介层）和三星X-Cube（TSV堆叠）。两者在互连方式、制造工艺和应用场景上存在显著差异，共同推

玻璃通孔(TGV)技术在3DIC封装中发挥关键作用，通过玻璃基板实现垂直互连，占封装成本的30%。玻璃中介层具有精细布线、低损耗和光子兼容等优势，适用于5G、HPC和IoT应用。TGV制造采用激光诱导蚀刻技术，可形成高密度、高纵横比(1:10)的微孔。优化碱性蚀刻工艺能实现低至1度的锥角，提升封装性能。该技术为先进封装提供了高带宽、低损耗的互连解决方案。

ICP-RIE是一种结合电感耦合等离子体与反应离子刻蚀的先进技术，具有高刻蚀速率、高选择性和低损伤的特点。其原理是通过射频电源在导体线圈中产生电磁场，激发气体形成高密度等离子体，实现物理和化学刻蚀的结合。线圈设计和偏压控制是影响刻蚀效果的关键因素，双射频源设计可实现离子密度与能量的独立调控。该技术广泛应用于半导体、电介质、金属和聚合物等材料的刻蚀加工，根据不同材料选用氟基或氯基工艺气体。

本文探讨了芯片制造中薄膜折射率的重要性及其测量方法。折射率是材料对光折射能力的度量，直接影响芯片性能。通过测量折射率可确定薄膜材料组成、计算厚度，并评估薄膜质量。常见测量方法包括光谱椭圆偏振仪和反射/透射光谱仪。不同材料折射率各异，如硅约3.5，二氧化硅约1.46。折射率偏差可能反映生产工艺问题，是质量控制的关键指标。精确控制薄膜折射率对确保芯片性能至关重要。

5S管理法是一种源自日本的工作场所优化方法，包含整理(Seiri)、整顿(Seiton)、清扫(Seiso)、清洁(Seiketsu)和素养(Shitsuke)五个步骤。其英文对应为Sort、Set、Shine、Standardize和Sustain。该方法通过清除不必要物品、规范物品摆放、保持环境清洁、建立标准化流程及培养良好习惯，实现工作场所的高效、安全与整洁。5S管理能提升工作效率、改善工作

晶圆级封装（WLP）是一种在完整晶圆上直接进行封装的技术，分为扇入型和扇出型两类。相比传统引线键合，WLP通过焊料凸块实现更高密度互连，具有体积小、成本低、电气性能好等优势。该技术支持RDL布线、2.5D/3D堆叠，广泛应用于移动设备、AI和物联网等领域，满足高性能芯片的微型化需求。随着技术进步，WLP正推动半导体封装向更高效、更集成的方向发展。

2，再计算每个厚度与均值的差的平方分别为：0.0144，0.0324，0.1024，0.0004，0.0004，0.0784，0.0484，0.0004，0.0144，0.03243，求和并取平值 (0.0144+0.0324+0.1024+0.0004+0.0004+0.0784+0.0484+0.0004+0.0144+0.0324)=0.39964，σ=0.193。良好的均匀性说明薄膜在晶圆

知识星球里的学员问：封装好的芯片，怎么能将外面包裹的环氧树脂除去呢？想研究下芯片的结构，有什么办法吗？

例如，对于衬底反射问题，更倾向于使用BARC，而对于光阻内部的反射问题，则可能选择使用TARC。抗反射层涂层的设计是为了减小光在界面上的反射，可以通过将抗反射涂层的折射率设计得在玻璃和光阻层之间，从而实现对反射光的最小化。理想的抗反射涂层厚度应该是光的波长的四分之一，因为这样可以使得从底部反射回来的光和从表面反射的光产生相干干涉，抵消彼此的影响，进一步减少反射。这个反射的光和原来的入射光频率相同，

虽然在绝大多数人的印象中，物质只有三种状态（固态、液态、气态），但宇宙中超过 99% 的可观测物质处于第四态，例如在恒星、星云和星际介质中，等离子体也存在于地球上，例如在地球上方的电离层和磁层中。在气体电离中，外部能量（如电场、光辐射或高温）提供足够的能量，使得气体分子或原子中的电子从其原子轨道或分子轨道中脱离，形成带电离子和自由电子。气体电离是等离子体形成的基础。一旦气体电离发生，会导致原子或分