BAT54和C11、R3构成了外部电压软启动电路，上电开始前几ms5V电源给C11充电，同时芯片内部完成4ms软起动，但是COMP端电压要到2V芯片才能工作，此时由于C11电压还没充到2V-管压降，因此COMP也要通过BAT54给C11充电，直到C11充够电压让COMP端达到2V，这个充电时间不好算；（4V的REF电压）FB和COMP之间连接一个电阻和电容，其中电容取值为几十-几百pf用于滤波，而

参考文章：(36 封私信 / 80 条消息) 霍尔角度使用锁相环（PLL）原理的应用 - 知乎(36 封私信 / 80 条消息) 20231221-基于锁相环PLL的电角度滤波 - 知乎使用锁相环对霍尔角度滤波_哔哩哔哩_bilibili红色方框部分即为PLL滤波器，包括鉴相器、PID滤波、震荡器三个部分鉴相器：为正弦鉴相器，由于输入的电角度是锯齿波，因此存在很多谐波，其使用限制是震荡器：类比压控

主要是将drv83xx对寄存器的操作封装成基于位域的结构体，这里我在SPI Interface Begin中将对SPI的操作、延时函数、系统时钟等封装成了接口和宏定义，根据自己的硬件进行对应修改即可使用；注意选用不同的drv83xx系列芯片时，需要在.h文件中修改成对应芯片型号的宏定义；SPI 配置为16bit 、FIRSTBIT_MSB 模式，时钟极性CPOL为LOW，CPHA为2EDGE，通讯

VF强拖就是电压开环强拖，给定一个固定的Ud和Uq，然后执行反Park变换和SVPWM（此时不需要执行完整的FOC环路，最易实现），IF强拖则是给定一个固定的id_ref和iq_ref，然后执行FOC电流环让id和iq逐渐接近给定的id_ref和iq_ref（此时需要保证电流环的PID参数是合理的，稍微复杂，但比VF强拖更稳定）；/************* 斜坡强拖具体代码实现（浮点和定点）**

在用G070KBT6芯片调用HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError)时，调试发现该函数返回HAL_ERROR，最后定位到FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE)函数出现错误，pFlash.ErrorCode为0xA0，即FLASH错误标志位 FLASH_SR_PGSERR和FLASH_SR_

在用G070KBT6芯片调用HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError)时，调试发现该函数返回HAL_ERROR，最后定位到FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE)函数出现错误，pFlash.ErrorCode为0xA0，即FLASH错误标志位 FLASH_SR_PGSERR和FLASH_SR_

编程语言：C语言编译器平台：keil MDK 5.36单片机型号：Stm32F407VET6根据float单精度浮点数和Double双精度浮点数遵循的IEEE 754规则我们可以知道，前者的有效位数为6-7位，后者的有效位数为15-16位，在有效位数内能够无误差的表示数值，这里我们通过keil MDK编译器做一个实验，观察Float、double、定点数三类的表示精度和计算精度怎样，以及不同计算方

最近在更新了CubeMX6.13.0版本后，刚开始还能正常使用，后面突然就出现打开后不显示界面这个问题，但是任务管理器显示该程序正在运行，其他版本的Cubemx能正常打开。最后认为可能是自己的Windows账户名称为中文导致路径有问题，然后选择另一个英文名的Windows管理员账户进行登录并打开STM32CubeMX6.13.0，一切正常成功解决问题。

RSHUNT为采样电阻的值，这里我们通过设置Cal的值来控制电流寄存器的分辨率Current_LSB，例如当采样电阻为0.1欧姆的时候，我们设置Cal = 2000h = 8192 ，那么Current_LSB = 0.05mA，而由于电流寄存器数据位只有15位，最大值为32767（这里作者不明白为什么上述公式2的分母是2^15,作者认为应该是2^15-1才对），因此量程为32767*Curren

今天在用一块自己画的板子的时候，发现给板子上电之后，可以接收到串口发出来的数据，但给芯片串口发数据，芯片没反应，只有手动再按一次复位按钮后串口才能正常工作；百思不得其解，上网查询后发现可能是上电时序的问题：芯片的电源、时钟、外设都各自有一个上电稳定时间，即上电后这些组件的电压需要在一定时间内达到稳定才能正常工作。