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Silvaco学习笔记(十三)——CV特性/瞬态特性仿真(毕设相关)

Y:3um硅片初始化:均匀掺杂硼(B),掺杂浓度为5e15/cm3,晶向100,网格间距×2网格定义:乘数前;乘数后可见,加入spac.mult=2乘数后网格变得稀疏了一倍提取结果:四个电极:分别是:sto_gate,tra_gate,drain substrate字面意思:sto猜测是storage(存储,相比drain面积也大);tra猜测是transport(运输);drain类比mos漏极

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