网格定义

示例中的模型等设置

低效率日记

GAN--led示例silvaco仿真

文献调研

学习笔记——第五天

Y：3um硅片初始化：均匀掺杂硼（B），掺杂浓度为5e15/cm3，晶向100，网格间距×2网格定义：乘数前；乘数后可见，加入spac.mult=2乘数后网格变得稀疏了一倍提取结果：四个电极：分别是：sto_gate，tra_gate，drain substrate字面意思：sto猜测是storage（存储，相比drain面积也大）；tra猜测是transport（运输）；drain类比mos漏极

Y：3um硅片初始化：均匀掺杂硼（B），掺杂浓度为5e15/cm3，晶向100，网格间距×2网格定义：乘数前；乘数后可见，加入spac.mult=2乘数后网格变得稀疏了一倍提取结果：四个电极：分别是：sto_gate，tra_gate，drain substrate字面意思：sto猜测是storage（存储，相比drain面积也大）；tra猜测是transport（运输）；drain类比mos漏极

在仿真开始时电极都是零偏的，之后才会按照设置的方式将电流或电压步进式地加上 去。步进的步长是需要考虑的，步长太大容易不收敛（由于计算方法中的初始猜测策略）。电压和电流的施加使用solve状态，log和save 是将计算得到结果分别保存为日志文件和结 构文件。Log语句需要在solve之前，这样solve的数据才能得到保存。

毕设学习笔记——PIN器件击穿特性研究