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MOSFET的开启过程详细讲解
提示:文章写完后,目录可以自动生成,如何生成可参考右边的帮助文档文章目录前言一、pandas是什么?二、使用步骤1.引入库2.读入数据总结前言概要:MOSFET打开的基本原理初衷:为什么会写这篇文章呢?原因是这样的,最近在工作中发现,一些新入职的同事或者工作了一段时间的硬件工程师,对MOSFET打开的基本原理不是很了解,这就导致在设计MOSFET驱动电路或者分析与MOSFET相关的电路时,总是搞不
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【简易版MOSFET损耗计算-详细拆解计算过程-包会包理解】
文章目录前言一、为什么要计算MOSFET的损耗?二、MOSFET的损耗如何计算?1.MOSFET的损耗三部分2.MOSFET的功耗计算总结前言之气写过一篇超级详细的MOSFET的损耗计算过程,比较繁琐,不利于初级工程师的理解,今天这篇文章,我将用估算的方式讲解MOSFET的损耗计算过程,希望能给大家带来帮助。提示:以下是本篇文章正文内容,下面案例可供参考一、为什么要计算MOSFET的损耗?无论是在
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超级详细的MOSFET功耗计算-MOSFET Power Losses
背景上一篇文章中,讲到调节栅极串联电阻优化控制信号的振铃现象(RLC串联谐振电路),但是现在大部分的预驱(后面统称pre-driver)的内部都集成了可调节的电流源,因此不再需要调节栅极电阻调节驱动电流的大小,比如TI的870X系列。同样的,电流大小的不同影响控制信号的边沿斜率,斜率越大,MOSFET的开通速度越快,对应EMC效果越差;但是斜率越小,MOSFET的热损耗就会增加,这两者如何均衡考虑
到底了