我国成功研制全球首颗8Mb自旋轨道力矩磁随机存储器芯片 北京航空航天大学与致真存储公司联合攻关，成功研制出全球首颗8Mb容量自旋轨道力矩磁随机存储器（SOT-MRAM）芯片。该成果已发表在《集成电路与嵌入式系统》2026年第1期，标志着我国在新型存储器领域取得重大突破。 SOT-MRAM具有高速、低功耗、非易失性等优势，被视为替代SRAM的新一代存储技术。研究团队攻克了器件微缩与互连设计等难题，建