例如：例如：一．芯片特点及用途1.特点：23•可以驱动2个N沟道MOSFET有14ns的自适应停滞控制23•MOSFET栅极控制电压范围：4.5~8.8V 最佳为7~8V23•输入脉宽调制信号幅度：2.0~13.2V23•每相电流可以>=40A23•高频时有14ns的传播延迟和10ns上升下降时间允许Fsw-2MHz23•能够传播< 30ns PWM脉冲输入23•低侧可以吸入电阻（0.4Ω）上产生