本文分析了实际电容的等效串联谐振电路模型，推导了Q值的两种仿真方法：通过Z参数和Y参数.通过SP仿真验证，两种方法得到的Q值结果一致但符号相反，需取绝对值。芯片设计中采用插指电容可获得高Q值。该研究为电容Q值测量提供了可靠的理论依据和仿真验证方法。

首次基于耦合线准TEM正常模态参数，推导出了由宽边耦合微带线构成的平面多层Marchand巴伦的散射(S)参数解析表达式。提出了基于所推导S参数和电路综合技术的巴伦新设计方程和新设计流程。将通过此流程设计的GaAs微波单片集成电路(MMIC)巴伦的计算结果，与通用全波平面分析结果进行了比较，获得了良好的性能和一致性。

本文参考R. Schwindt and Cam Nguyen, "Computer-aided analysis and design of a planar multilayer Marchand balun," in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 42, no. 7, pp. 1429-1434, July

本文参考R. Schwindt and Cam Nguyen, "Computer-aided analysis and design of a planar multilayer Marchand balun," in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 42, no. 7, pp. 1429-1434, July