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FPGA的LVDS接口电压

在新设计中优先使用HP Bank的1.8V LVDS,以获得更好的性能和功耗特性。:在HP Bank使用LVDS_25标准,或在HR Bank使用LVDS标准。用于确定具体器件的哪些Bank是HP Bank,哪些是HR Bank。将Bank的VCCO电源电压设置为对应LVDS标准要求的电压。在Vivado中正确设置I/O标准和电压,否则无法正常工作。同一FPGA中可能同时包含HP Bank和HR

#嵌入式硬件#硬件工程#智能硬件 +1
什么是M.2接口

M.2接口通过高速率、紧凑设计和多协议兼容性,彻底改变了存储与扩展设备的形态,成为现代PC、嵌入式系统的核心接口。Wi-Fi 6/6E网卡(如Intel AX210,支持2.4G/5G/6GHz频段)。(Socket 2):支持SATA、PCIe ×2、USB等协议,多用于无线网卡。(M.2 SSD仅占主板面积的5%-10%,而2.5英寸硬盘占30%以上)。(Socket 3):支持PCIe ×4

#嵌入式硬件#硬件工程#智能硬件
PowerPC架构详解:定义、应用及特点

尽管PowerPC在消费市场式微,但其技术遗产通过IBM POWER和嵌入式芯片延续,尤其在需要高可靠性的领域(如汽车、航天)仍具竞争力。(2006):IBM Cell Broadband Engine(1个PowerPC核心 + 8个SPU)。:早期PowerPC支持双核/四核(如G5),现代POWER架构扩展至24核(POWER10)。(2005):IBM PowerPC Xenon三核处理器

#嵌入式硬件#硬件工程#智能硬件
LPDDR(Low Power Double Data Rate)详解

LPDDR(低功耗双倍数据率内存)是一种专为移动设备、嵌入式系统及低功耗场景低功耗:支持动态电压频率调节(DVFS)和多种低功耗状态(如Deep Sleep)。高带宽:LPDDR5X速率可达,单通道带宽达68 GB/s(64位总线)。紧凑封装:采用板载BGA封装(无需DIMM插槽),节省空间。多Bank架构:通过Bank Group设计提升并发访问效率。1. 物理接口与封装封装形式类型引脚数典型应

#嵌入式硬件#硬件工程#智能硬件
CPLD与FPGA

CPLD与FPGA如同数字世界的“瑞士军刀”与“超级计算机”——前者以简洁可靠应对控制挑战,后者以澎湃算力征服数据洪流。在边缘计算爆发的今天,明智的工程师会为温度传感器选择$1的CPLD管理I2C,同时用$1000的FPGA加速神经网络,让每分预算都迸发极致效能。由可编程与阵列(AND Plane)+ 固定或阵列(OR Plane)构成,逻辑深度通常≤20级。:I/O资源占比高达60-80%(如X

#嵌入式硬件#硬件工程#智能硬件
CPLD与FPGA

CPLD与FPGA如同数字世界的“瑞士军刀”与“超级计算机”——前者以简洁可靠应对控制挑战,后者以澎湃算力征服数据洪流。在边缘计算爆发的今天,明智的工程师会为温度传感器选择$1的CPLD管理I2C,同时用$1000的FPGA加速神经网络,让每分预算都迸发极致效能。由可编程与阵列(AND Plane)+ 固定或阵列(OR Plane)构成,逻辑深度通常≤20级。:I/O资源占比高达60-80%(如X

#嵌入式硬件#硬件工程#智能硬件
CPLD与FPGA

CPLD与FPGA如同数字世界的“瑞士军刀”与“超级计算机”——前者以简洁可靠应对控制挑战,后者以澎湃算力征服数据洪流。在边缘计算爆发的今天,明智的工程师会为温度传感器选择$1的CPLD管理I2C,同时用$1000的FPGA加速神经网络,让每分预算都迸发极致效能。由可编程与阵列(AND Plane)+ 固定或阵列(OR Plane)构成,逻辑深度通常≤20级。:I/O资源占比高达60-80%(如X

#嵌入式硬件#硬件工程#智能硬件
最新NPU芯片详解及应用场景

近年来,NPU(神经网络处理器)技术快速发展,各大厂商推出多款高性能AI加速芯片,覆盖从端侧设备到云端数据中心的多样化需求。这些最新NPU芯片正在推动生成式AI、自动驾驶、元宇宙等领域的革命性进步,同时持续优化能效比与成本,未来将进一步渗透至工业、医疗、农业等垂直行业。:CPU+GPU+NPU融合(如苹果M3 Ultra、AMD Ryzen AI)。:微型NPU(<1W功耗)推动IoT设备AI化(

#嵌入式硬件#硬件工程#linux +1
什么是内存刷新

集中式刷新适合低延迟敏感场景,分布式刷新优化带宽利用率,而自刷新模式是低功耗设备的关键。未来趋势包括智能刷新调度(AI预测)和新型存储技术(如3D XPoint)减少刷新依赖。例如:DDR4的8192行需在64ms内完成刷新,单行刷新间隔为7.8μs。刷新瞬间电流骤增(峰值可达数A),需配置低ESR去耦电容(如10μF钽电容)。自刷新模式下关闭PLL和时钟网络,功耗可降至1-10mW(如LPDDR

#嵌入式硬件#硬件工程#智能硬件
二极管详解:特性参数、选型要点与分类

If≥3.5A,Vr≥25V(如1N5408,If=3A,Vr=1000V)。:P_loss=2A × 0.7V × 2(桥式)=2.8W → 需散热设计。:通用场景选标准二极管(如1N4148),高性能场景选肖特基/TVS。:击穿电压5V,峰值功率600W(如PESD5V0S1BT)。:输入AC 12V,输出DC 5V/2A,桥式整流。:Vf、Vr、If、Trr等核心参数需满足应用需求。:低Vf

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