DRAM和SRAM各有特点，DRAM结构简单，核心元件仅为一个电容，所以它制造时的集成程度较高，同等容量的制造成本也相对较低。但也由于其核心元件为电容的缘故，需要去定期刷新电容的电荷量，这种定期刷新的操作会让存储以外的控制电路等变得复杂，同时刷新操作也会影响数据读写的速度，所以DRAM的读写速度相对较慢。

转眼间已经在CSDN平台断断续续更新了几十篇文章，基本都是在分享技术，很少对个人经验进行总结，一是觉得自己工作年限不够，说不出有价值的东西，二是平时思考都比较碎片化，鲜有时间总结。前段时间偶尔翻到了自己发的第一条博文，这让我开始回顾转行这些年，碰到过很多人和事：有觉得程序员轻松，敲键盘就能拿工资的行外人；有培训两个月，拥有三年工作经验并成功找到工作的程序员；也有为了赶项目进度，让应届新员工接手核心

HID报文描述符可能是所有USB描述符中最复杂的，抽象的概念相当多，理解起来也需要一定的时间。但是复杂的定义带来的却是报文易用性和灵活性，它几乎可以描述任何形式的数据，而且长度都由开发者来定义，形式也较为简洁清晰。

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