半导体材料的霍尔效应是表征和分析半导体材料的重要手段，可根据霍尔系数的符号判断材料的导电类型。霍尔效应本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转，当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，形成附加的横向电场。

集成电路封装测试通过‌晶圆筛选-封装保护-功能验证‌的闭环流程，确保芯片性能达标与长期可靠性。晶圆级测试（CP）与封装后测试（FT）的分段实施，显著降低制造成本（不良品处理成本相差10倍以上）。随着探针台精度提升（达±0.1μm）与测试设备智能化，该流程正加速向高集成度、高可靠性方向演进。

PT100凭借高精度与稳定性，在温度敏感场景中占据核心地位，选型时需根据测量范围、环境干扰和接口需求综合评估。

Pt100,就是说它的阻值在0度时为100欧姆，负200度时为18.52欧姆，200度时为175.86欧姆，800度时为375.70欧姆。

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够

DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。

温度传感器（temperature transducer）是指能感受温度并转换成可用输出信号的传感器。温度传感器是温度测量仪表的核心部分，品种繁多。按测量方式可分为接触式和非接触式两大类，按照传感器材料及电子元件特性分为热电阻和热电偶两类。

温度是一个基本的物理量，自然界中的一切过程无不与温度密切相关。温度传感器是最早开发，应用最广的一类传感器。温度传感器的市场份额大大超过了其他的传感器。从17世纪初人们开始利用温度进行测量。在半导体技术的支持下，本世纪相继开发了半导体热电偶传感器、PN结温度传感器和集成温度传感器。与之相应，根据波与物质的相互作用规律，相继开发了声学温度传感器、红外传感器和微波传感器。

每种传感器的工作原理均与其物理特性密切相关，实际选择需综合考虑测量范围、精度需求、环境条件及成本因素。

霍尔电压是随感应磁场的角度变化的，当磁场与霍尔传感器垂直时，霍尔电压达到*大值。