需要更小的TSV、更低的TSV成本和更高的TSV 成品率，才能 3D-IC技术的应用扩展到各种系统。在TSV形成工艺中，减小TSV尺寸和提高TSV良率方面是有效的，因为可以容易地形成小TSV，以及很容易在之间形成电接触TSV 和多层互连。首先，通过深硅蚀刻、使用四乙基正硅酸盐和o2气体的化学气相沉积、屏障种子层沉积、自下而上的Cu电镀、CMP和Ti-Al布线形成，制备了直径为200 mm的TSV晶