疏：静电穿过外壳结构到达主板内部，根据静电释放原则及时将静电释放到参考地平面，避免静电释放到芯片，损坏主板。例如SIM卡防静电器件的寄生容值不超过22pf，SWP 信号线的静电器件的容值不超过3pf， TF卡的ESD防护器件电容小于10pF。合成纤维和干燥环境下特别容滋生静电电荷，例如：在地毯上走动，人体电子与纤维发生交换，纤维再与座椅电荷交换，此时若人体没有充分接地，经过累积人体就带上静电电荷，

反向脉冲保护由C101/R104/D100组成，变压器充电完成（Q100截止后），Q100集电极要承受的电压为供电电压加上变压器初级绕组产生的反激电压，MJE13003的Vce最大能承受400V左右的电压，当变压器由于漏感等因素造成反激电压过大（大于150V时），Q100就有可能被击穿，所以增加一个反向脉冲保护电路对反激电压出现的极短时间的脉冲尖峰进行滤除，如果Q100采用Vce耐压更高的三极管，