摘要 - 针对AlGaN/GaN HFET，提出了一种无拟合参数的物理解析模型。对于非饱和操作，建立了两个接入区和栅极下方I-V特性的非线性分析模型。所得方程通过边界处的电压和电流连续性连接在一起。证明了该模型与商业模拟器ATLAS的相应模拟之间的良好一致性。此外，所提出的模型与流行的HFET操作曲线拟合模型相比是有利的。索引术语 - HEMT，建模，电阻。

在SiC功率半导体器件的封装中，一般采用的封装形式包括TO封装、DIP封装、SMD封装、QFN封装等。其中，TO封装是一种常见的封装形式，它具有良好的散热性能，适用于高功率的应用场合。DIP封装和SMD封装则更适用于中低功率的应用场合，同时具有较小的尺寸和较低的成本。QFN封装则是一种新型的封装形式，其具有较小的尺寸和良好的散热性能，适用于高密度的应用场合。常见的封装材料包括铝、铜、银、金等，其中

在过去的几十年里，使用数值方法进行SPICE建模或对现有SPICE模型参数进行表征（提取）的提交论文数量显著增加。许多此类文章依赖于合成数据——这些数据或通过技术计算机辅助设计（TCAD）生成，或基于物理SPICE模型的仿真结果；而大多数并未对实测数据进行建模/拟合。此外，这些文章未对其提出的数值方法的物理正确性、平滑性/单调性或渐近正确性进行评估。尽管这种方法足以对技术进行初步验证，但无法证明其

GaN RF提取项目提供了一个初始的提取示例流程，以便您可以了解GaN模型的提取。这些项目和工具具有灵活性，可以轻松自定义以实现特定工艺技术的最佳准确性。提取流程是一个逐步手动过程，需要对模型及其参数有一定的了解。准备设置并加载测量数据。通过设置一些重要的变量（名称、工作目录等）来定义项目。初始化参数，包括已知的工艺和布局信息。执行逐步提取（这取决于模型）。最后，保存结果。IC-CAP软件学习交流

使用 TCAD 提取的 I-V 和 C-V 曲线族，结合 Keysight 的 IC-CAP 器件建模套件和先进SPICE模型用于高电子迁移率晶体管 (ASMHEMT) 模型卡，提取 HEMT 模型卡。此外，模型卡提取的 S 参数也与 TCAD 提取的 S 参数相匹配。完成直流、C-V 和 S 参数匹配后，使用 Keysight 的 Advanced Design System (ADS) 对工作

对于增强型GaN功率晶体管的发展，栅压摆幅和阈值电压稳定性通常是互相排斥的。本文展示了一种具有内置p-GaN电位稳定器(PPS)的金属/绝缘体/p-GaN栅极高电子迁移率晶体管(MIP-HEMT)，能够同时实现大的栅压摆幅和增强的阈值电压稳定性。MIP栅结构将栅压摆幅扩大到19.5V，并作为一个交流耦合电容器（常用于栅驱动器中，以加快欧姆型p-GaN栅极高电子迁移率晶体管的开关速度）。PPS由两个

本工作中，首次证明了混合栅极技术在不增加额外面积和寄生效应的前提下，能有效提升p-GaN HEMTs的栅极静电放电(ESD)性能。通过部分替换p-GaN HEMT中的肖特基型栅极金属为欧姆接触型金属，制备了混合栅HEMT（Hyb-HEMT）。基于传输线脉冲（TLP）性能的对比研究，证实了Hyb-HEMT的栅极ESD承受能力提高了约11倍，表明由欧姆接触型金属引入的“放电路径”能有效耗散ESD能量。

摘要—在本文中，我们提出了一个基于物理的解析模型，用于描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的二维电子气密度ns。所提出的模型考虑了费米能级Ef和ns之间的相互依赖关系。该模型通过考虑Ef、第一能带E0、第二能带E1以及ns随着栅极电压Vg的变化而进行了建模。所提出的模型与数值计算非常吻合。关键词—AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），解析模型，二维电子气（2DEG）电荷密度。

在过去的几十年里，使用数值方法进行SPICE建模或对现有SPICE模型参数进行表征（提取）的提交论文数量显著增加。许多此类文章依赖于合成数据——这些数据或通过技术计算机辅助设计（TCAD）生成，或基于物理SPICE模型的仿真结果；而大多数并未对实测数据进行建模/拟合。此外，这些文章未对其提出的数值方法的物理正确性、平滑性/单调性或渐近正确性进行评估。尽管这种方法足以对技术进行初步验证，但无法证明其