学士学位的英文简称是"Bachelor’s degree"，全称是"Bachelor of Arts"（文学学士）或"Bachelor of Science"（理学学士），通常缩写为"B.A.“或"B.S.”。在工程学领域，博士学位的缩写通常是"Ph.D."，但也有其他的博士学位缩写，例如工程博士（"Eng.D.“或"Dr.Eng.”）和应用科学博士（“D.A.Sc.”）。

在过去的几十年里，使用数值方法进行SPICE建模或对现有SPICE模型参数进行表征（提取）的提交论文数量显著增加。许多此类文章依赖于合成数据——这些数据或通过技术计算机辅助设计（TCAD）生成，或基于物理SPICE模型的仿真结果；而大多数并未对实测数据进行建模/拟合。此外，这些文章未对其提出的数值方法的物理正确性、平滑性/单调性或渐近正确性进行评估。尽管这种方法足以对技术进行初步验证，但无法证明其

Machine Learning-Based Modeling and BV Optimization for LDMOS With Multifloating Buried Layers（TED 25年）

Machine Learning-Based Modeling and BV Optimization for LDMOS With Multifloating Buried Layers（TED 25年）

提出了一种精确基于物理的解析模型，用于描述p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅电容。该模型在形成泊松方程时考虑了p-GaN帽层中受主的不完全离子化以及Mg受主向AlGaN势垒层的外扩散，该方程与AlGaN/GaN量子阱中的电荷方程一起求解。该模型在宽偏置范围内得到了验证，与实验结果显示出良好的一致性。还使用该模型分析了单个设备参数对电容-电压（C-V）特性的影响。此外还

在过去的几十年里，使用数值方法进行SPICE建模或对现有SPICE模型参数进行表征（提取）的提交论文数量显著增加。许多此类文章依赖于合成数据——这些数据或通过技术计算机辅助设计（TCAD）生成，或基于物理SPICE模型的仿真结果；而大多数并未对实测数据进行建模/拟合。此外，这些文章未对其提出的数值方法的物理正确性、平滑性/单调性或渐近正确性进行评估。尽管这种方法足以对技术进行初步验证，但无法证明其

摘要 - 针对AlGaN/GaN HFET，提出了一种无拟合参数的物理解析模型。对于非饱和操作，建立了两个接入区和栅极下方I-V特性的非线性分析模型。所得方程通过边界处的电压和电流连续性连接在一起。证明了该模型与商业模拟器ATLAS的相应模拟之间的良好一致性。此外，所提出的模型与流行的HFET操作曲线拟合模型相比是有利的。索引术语 - HEMT，建模，电阻。

GaN RF提取项目提供了一个初始的提取示例流程，以便您可以了解GaN模型的提取。这些项目和工具具有灵活性，可以轻松自定义以实现特定工艺技术的最佳准确性。提取流程是一个逐步手动过程，需要对模型及其参数有一定的了解。准备设置并加载测量数据。通过设置一些重要的变量（名称、工作目录等）来定义项目。初始化参数，包括已知的工艺和布局信息。执行逐步提取（这取决于模型）。最后，保存结果。IC-CAP软件学习交流

使用 TCAD 提取的 I-V 和 C-V 曲线族，结合 Keysight 的 IC-CAP 器件建模套件和先进SPICE模型用于高电子迁移率晶体管 (ASMHEMT) 模型卡，提取 HEMT 模型卡。此外，模型卡提取的 S 参数也与 TCAD 提取的 S 参数相匹配。完成直流、C-V 和 S 参数匹配后，使用 Keysight 的 Advanced Design System (ADS) 对工作

对于增强型GaN功率晶体管的发展，栅压摆幅和阈值电压稳定性通常是互相排斥的。本文展示了一种具有内置p-GaN电位稳定器(PPS)的金属/绝缘体/p-GaN栅极高电子迁移率晶体管(MIP-HEMT)，能够同时实现大的栅压摆幅和增强的阈值电压稳定性。MIP栅结构将栅压摆幅扩大到19.5V，并作为一个交流耦合电容器（常用于栅驱动器中，以加快欧姆型p-GaN栅极高电子迁移率晶体管的开关速度）。PPS由两个