随着近期对用于GaN互补技术集成电路（ICs）开发的p沟道GaN器件研究兴趣的激增，一套全面的模型对于加速器件设计至关重要。本文提出了一种解析模型，用于理解GaN p沟道场效应晶体管（p-FET）的电流-电压（I-V）特性。该模型基于基于物理的静电学表达式，自洽求解薛定谔-泊松方程，并结合费米-狄拉克统计以及二维电子气（2DHG）的二维态密度（2D-DOS）。此外，该模型还利用漂移-扩散机制来描述

在肖特基接触中，金属与半导体之间形成一个势垒，这个势垒可以控制电子的流动，从而实现电流的整流和调制。肖特基接触是指金属与半导体形成的接触，其接触电阻比欧姆接触大，接触电流与电压不呈线性关系。在欧姆接触中，金属与半导体之间没有形成明显的势垒，电子可以自由地通过金属和半导体之间的接触面，形成良好的电流通路。需要注意的是，某些情况下，金属与半导体之间的接触可能同时具有欧姆接触和肖特基接触的特性，这种接触

摘要 - 针对AlGaN/GaN HFET，提出了一种无拟合参数的物理解析模型。对于非饱和操作，建立了两个接入区和栅极下方I-V特性的非线性分析模型。所得方程通过边界处的电压和电流连续性连接在一起。证明了该模型与商业模拟器ATLAS的相应模拟之间的良好一致性。此外，所提出的模型与流行的HFET操作曲线拟合模型相比是有利的。索引术语 - HEMT，建模，电阻。