模拟IC设计π模型与T模型拉扎维书讲的MOS模型为π模型，一般我们也用π模型进行公式的推导以及计算，但很多时候对于某些问题π模型推导过于复杂，反而我们用T模型进行电路特性理解公式推导会更加方便。本文主要介绍T模型如何由π模型推导而来。...

对二级米勒补偿运放的压摆率做理论分析，并且搭建二级米勒补偿运放的压摆率Slew Rate进行分析。

有时我们进行模拟IC设计时需要进行手工计算，然而工艺库中参数不是那么的好找，此时可以采用仿真的方式得到手算参数μnCox，以及沟道长度调制效应系数。注：现在最好的方法是采用gmId的设计方法，只是有时我需要用到上面的两个参数。还有我是新手，写的有问题欢迎各位大佬指出，别喷我，害怕ing。一、MOS管平方关系模型MOS管沟道饱和区电流ID（不考虑非理想效应)Id=12μnCoxWL(VGS−VTH)

有时我们进行模拟IC设计时需要进行手工计算，然而工艺库中参数不是那么的好找，此时可以采用仿真的方式得到手算参数μnCox，以及沟道长度调制效应系数。注：现在最好的方法是采用gmId的设计方法，只是有时我需要用到上面的两个参数。还有我是新手，写的有问题欢迎各位大佬指出，别喷我，害怕ing。一、MOS管平方关系模型MOS管沟道饱和区电流ID（不考虑非理想效应)Id=12μnCoxWL(VGS−VTH)