大多数人都知道——即使是大量随机排列字符的猴子也写不出一本有趣的书，一些人往往会忘记的是——即使是大量的 ”Spice Monkeys” 随机调整电路也永远无法设计出稳健、优化的电路，简单地说 Spice 只是一个 “计算器”，让你评估和测试你的想法，去验证你设计的电路。现在通过仿真 MOS 管的 I-V 曲线去估算工艺参数，以方便在以后的电路设计中提供估算参数。

通过dc直流仿真，描绘 输出电压vout与输入电压vin关系曲线，输入电压vin与输出电流id，创建.scs文件保存放大管扫描直流参数，借用计算器输入gm变量，描绘跨导gm与vin的曲线提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考。

传统的设计方法是采用过驱动电压的设计方法，原理理论基础是长沟道器件，然后工艺越来越先进小，进入深亚微米后，传统的长沟道物理模型偏差会比较大。从MOS晶体管反推估算参数会比较不太准确，计算有点繁琐，gmid的方法就是采用gm与id的比值来抵消工艺参数得到关于过驱动电压关系式，选择合适gmid的比值也就选择了过驱动电压。gmid方法是通过对CMOS晶体管进行曲线的一个扫描，然后绘制出不同的长度，不同的