以二极管作负载的共源级为例，建立原理图，进行直流仿真，再对其进行交流、瞬态仿真

通过dc直流仿真，描绘 输出电压vout与输入电压vin关系曲线，输入电压vin与输出电流id，创建.scs文件保存放大管扫描直流参数，借用计算器输入gm变量，描绘跨导gm与vin的曲线提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考。

以电阻作负载的共源级为例，在直流仿真的基础上选择合适的直流偏置；再对其进行交流、瞬态仿真，同时验算放大倍数是否符合。提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考。

从扫描三级管的温度曲线出发，求达到零温度系数的电阻比例，再去仿真MOS管的节点电压来确定放大的输入输出，综合一起仿真，进行微调，得到零温度曲线

基于Cadence IC617 MOSFET的V-I特性仿真，绘制vgs与id，vds与id的关系

大多数人都知道——即使是大量随机排列字符的猴子也写不出一本有趣的书，一些人往往会忘记的是——即使是大量的 ”Spice Monkeys” 随机调整电路也永远无法设计出稳健、优化的电路，简单地说 Spice 只是一个 “计算器”，让你评估和测试你的想法，去验证你设计的电路。现在通过仿真 MOS 管的 I-V 曲线去估算工艺参数，以方便在以后的电路设计中提供估算参数。

简单介绍Bandgap原理，对电路进行搭建，主要部分为Bandgap的核心电路，差分对输入的折叠式共源共栅，启动电路，再对其进行一个直流仿真来看管子的工作状态是否符合要求，最后扫描Bandgap与温度的关系。

根据电路原理图来创建版图，对其版图连线，进行DRC，LVS，PEX，后仿真

基于Allen 的CMOS模拟集成电路设计英文版P216电路

传统的设计方法是采用过驱动电压的设计方法，原理理论基础是长沟道器件，然后工艺越来越先进小，进入深亚微米后，传统的长沟道物理模型偏差会比较大。从MOS晶体管反推估算参数会比较不太准确，计算有点繁琐，gmid的方法就是采用gm与id的比值来抵消工艺参数得到关于过驱动电压关系式，选择合适gmid的比值也就选择了过驱动电压。gmid方法是通过对CMOS晶体管进行曲线的一个扫描，然后绘制出不同的长度，不同的