设计电路尺寸时，需要用到萨支唐公式，那么如何得到公式中的Vth和unCox呢？法1：看工艺的model，一般可以直接找到PMOS和NMOS的Vth0，u0和tox，根据下列公式由tox计算得出Cox，法2：搭单个管子的电路，DC扫描栅极输入电压，得到电流值，用matlab处理得到拟合线性曲线，根据斜率和截距，计算unCox、upCox和Vtn、Vtp。电路图及matlab代码参考http://ww

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finger是插指结构中手指头的个数，multiplier（m）是并联晶体管个数。对于单个晶体管，total width = number of fingers * w如果设置m=2，则有两个上述晶体管并联，并联结构的电流为单个晶体管的2倍。虽然总的width是相同的，但是这两种方式各有特点，finger可能存在最优值，multiplier要更精确一点。【在电流镜像结构的电路中，使用m实现镜像的效

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DC仿真完成之后，在ADE中点击results-Circuit Conditions...,弹出results：circuit conditions对话框，可以标注出电路图中饱和区BJT或线性区mos，也可以自己设置标注条件。点击saturation <BJT> or Linear <MOS>后的小方块选项框，选择标注颜色，然后点击右侧results-annotate中的p