文章简要介绍了GaN-on-Si材料外延基本工艺和部分需要考虑的问题

本文重点介绍多栅指AlGaN/GaN HEMT功率器件，主要介绍电延迟现象、多栅指结构。

本文重点介绍GaN HEMT几种重要的单步工艺（隔离、光刻、钝化），具体工艺流程设计需要把各个单步工艺结合起来使用。